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半导体基本知识半导体：定义:导电性能介于导体和绝缘之间的物质材料:常见硅、锗硅、锗晶体的每个原子均是靠共价键紧密结合在一起。本征半导体

本征半导体：纯净的半导体。0K时，价电子不能挣脱共价键而参与导电，因此不导电。随T上升晶体中少数的价电子获得能量。挣脱共价键束缚，成为自由电子，原来共价键处留下空位称为空穴。空穴与自由电子统称载流子。自由电子：负电荷空穴：正电荷不导电自由电子与空穴成对出现/复合杂质半导体杂质半导体：在本征半导体中掺入微量杂质。导电性能发生变化N型半导体P型半导体N型半导体/电子型半导体定义：硅晶体中掺入五价元素（磷、锑）自由电子（多子）：掺杂+热激发空穴（少子）：热激发P型半导体/空穴型半导体定义：硅晶体中掺入三价元素（硼、铟）自由电子（少子）：热激发空穴（多子）：掺杂+热激发总结：多子：掺杂（主）+热激发少子：热激发（主）PN结的形成多子扩散运动形成耗尽层空穴浓度：P区N区；自由电子：P区N区多子由浓度高—浓度低扩散，扩散到对方复合，交界区仅剩正负离子形成耗尽层/阻挡层/空间电荷区/内电场EIN。少子漂移运动内电场的存在，阻止了多子的扩散，P区的少子——电子，N区少子——空穴，内电场作用下向对方移动——漂移。总结：PN结中存在：由浓度差引起的多子扩散运动，它使阻挡层变宽；由内电场作用下产生的少子漂移运动，它使阻挡层变窄。当两者强度相当时，达到动态平衡。思考：PN结内部存在电场，若将P区与N区端点用导线连接，是否有电流流过？无电流流过在无外电压的条件下，扩散电流=漂移电流，且方向相反，处于平衡状态，所以流过交界面的静态电流为0。（一）??PN结的单向导电性

1．?加正向电压（正向偏置）P区接电源正极，N区接电源负极。外电场EEXT与内电场EIN方向相反。即削弱了内电场，空间电荷区变窄，有利于多子扩散，不利于少子漂移，使扩散电流大大超过了漂移电流，于是回路形成较大的正向电流IF。EEXTEIN截止EEXTEIN导通(一)?PN结的单向导电性

2.?加反向电压（反向偏置）P区接电源负极，N区接电源正极。外电场EEXT与内电场EIN方向相同。即加强了内电场，空间电荷区变宽，不利于多子扩散，有利于少子漂移，使漂移电流超过扩散电流，于是回路中形成反向电流IR。因为是少子产生，所以很微弱。PN结截止（一）??PN结的单向导电性

总结：PN结具有单向导电性，当正向偏置时，有较大的正向电流，电阻很小，成导通状态，反向偏置时电流很小（几乎为0）。电阻很大，成截止状态。PN结的伏安特性正向特性（u0）UON：开启/导通电压硅：0.5V锗：0.1V反向特性(u0)击穿特性U（RB）：击穿电压半导体二极管A：阳极/正极K：阴极/负极二极管的伏安特性与PN结伏安特性一致。二极管主要参数：1．?最大整流电流IF2．?反向击穿电压U（RB）3．?反向电流IR4．?最高工作频率FT和反向恢复时间tre5、温度影响限幅电路如图示：假设输入UI为一周期性矩形脉冲，低电压UIL=-5V，高电压UIH=5V。当输入UI为-5V时，二极管D截止，视为“开路”，输出UO=0V。当输入UI为+5V时，二极管D导通，由于其等效电阻RD相对于负载电阻R的值小得多，故UI基本落在R上，即UO=UI=+5V。稳压管及其应用工作在反向击穿状态，输出稳定值与普通二极管相反，阴极：高；阳极：低如图：稳压值5.6V，IZ：5mA~82mA，分析电路不接RL时，IL=0，I1=IZD，RMIN=(12-5.6)/IZM=78Ω，若选R=82Ω，I1MAX=(12-5.6)/82=78mA保证IZD5mA，ILMAX=I1MAX-5=78-5=73mA，RLMIN=5.6/73=75Ω，只要负载电阻RL大于75Ω,其上可获得稳定的5.6伏输出电压。