气相沉积法制备纳米材料.pptVIP

化学气相沉积法化学气相沉积(CVD)的原理化学气相沉积(CVD)的特点化学气相沉积(CVD)的基本要求化学气相沉积(CVD)的反应类型化学气相沉积(CVD)的CVD基本要求CVD装置气源控制部件、沉积反应室、沉积温控部件、真空排气和压强控制部件等CVD装置CVD样品加热底物至所需温度，通入反应物气体使之发生分解，在底物上沉积出固体材料。关键：反应源物质和热解温度例如，氢化物(Hydrides)、羰基化合物(Carbonyl)、有机金属化合物(Organometalliccompounds)SiH4(g)Si(s)+2H2(g)(650°C)Ni(CO)4(g)Ni(s)+4CO(g)(180°C)Ga(CH3)3+AsH3GaAs+3CH4(630°C)元素的卤化物、羰基卤化物或含氧化合物在还原性气体氢气的存在下，还原得到金属单质。SiCl4(g)+2H2(g)Si(s)+4HCl(g)(1200°C)WF6(g)+3H2(g)W(s)+6HF(g)(300°C)MoF6(g)+3H2(g)Mo(s)+6HF(g)(300°C)SiHCl3(g)+H2(g)Si(s)+3HCl(g)(1200°C)——工业制备半导体超纯硅的基本方法元素的氢化物或有机烷基化合物常常是气态或易于挥发的液体或固体，同时通入氧气，反应后沉积出相应于该元素的氧化物薄膜。SiH4(g)+O2(g)SiO2(s)+2H2(g)(450°C)4PH3(g)+5O2(g)2P2O5(s)+6H2(g)(450°C)SiCl4(g)+2H2(g)+O2(g)SiO2(g)+4HCl(g)(1500°C)两种或两种以上的反应原料气在沉积反应器中作用。要求：反应的前躯体挥发性强，气态反应性强。SiCl4(g)+CH4(g)SiC(s)+4HCl(g)(1400°C)TiCl4(g)+CH4(g)TiC(s)+4HCl(g)(1000°C)BF3(g)+NH3(g)BN(s)+3HF(g)(110°C)3SiCl2H2+4NH3(g)Si3N4(s)+6H2(g)+6HCl(g)(750°C)Disproportionationreactionsarepossiblewhenmetalscanformvolatilecompoundshavingdifferentvalencestatesdependingonthetemperature.300°C2GeI2(g)Ge(s)+GeI4(g)600°CGe,Al,B,Ga,In,Si,Ti,Zr,Be,Cr的卤化物lower-valentstate(stableathighT)把所需要的沉积物质作为反应源物质，用适当的气体介质与之反应，形成一种气态化合物，这种气态化合物借助载气输送到与源区温度不同的沉积区，再发生可逆反应，使反应源物质重新沉积出来。2HgS(s)2Hg(g)+S2(g)2ZnS(s)+2I2(g)2ZnI2(g)+S2(g)(通常T2T1)案例一：提纯金属钛1、用I2做转移试剂,利用挥发金属碘化物(TiI4)的蒸汽发生热分解,从而在气相中析出金属钛.2、钛和碘在不同温度下发生不同反应:Ti+2I2====TiI4TiI4+Ti=====2TiI2TiI4+TiI2