SiC MOSFET 高温栅偏试验方法-征求意见稿.docx

T/CASAS042—202X（征求意见稿）

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碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFETs）高温栅偏试验方法

1范围

本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFETs）高温栅偏试验方法，包括：试验装置、试验程序以及失效判据。

本文件适用范围：分立功率器件，功率模块。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T4586-1994半导体器件分立器件第8部分场效应晶体管

GB/T4937.23-2023半导体器件机械和气候试验方法第23部分：高温工作寿命

T/CASAS002-2021宽禁带半导体术语

T/CASAS006-2020碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范

3术语和定义

GB/T4586、T/CASAS002、T/CASAS006界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

3.1

栅-源电压gate-sourcevoltage

VGS

器件的栅极和源极之间的电压。

3.2

漏-源电压drain-sourcevoltage

VDS

器件的漏极和源极之间的电压。

3.3

栅极漏泄电流gateleakagecurrent栅极漏电流gateleakagecurrent

IGSS

漏极-源极短路时，栅极-源极电压VGS达到最大的条件下对应的最大值。

3.4

漏极漏泄电流drainleakagecurrent漏极漏电流drainleakagecurrent

IDSS

在漏极-源极电压达到规定的高值，栅极-源极达到规定条件下的最大值。

3.5

栅-源阈值电压gate-sourcethresholdvoltage

VGS(th)

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漏极电流值达到规定低值时的栅-源电压。

3.6

漏-源通态电阻drain-sourceon-stateresistance

rDS(on)

在规定的栅极电压、温度且忽略内部耗散条件下的最大值。

3.7

漏-源反向电压rain-sourcereversevoltage

VSD

在规定的条件下，器件的漏极和源极之间的反向电压。

3.8

漏-源击穿电压breakdownvoltage,draintosource

V(BR)DSS

最大断态漏极电流ID0和栅极-源极短路时的最小值。

3.9

环境温度ambienttemperature

Ta

测试环境规定点测得的温度。

3.10

管壳温度casetemperature

Tc

在半导体器件管壳规定点测得的温度。

3.11

散热器温度sinktemperature

Ts

在器件散热器规定点测得的温度。

3.12

结温junctiontemperature

Tj

器件中主要发热部分的半导体结的温度。

3.13

虚拟结温virtualjunctiontemperature,general

vjT

vj

通过电学性能简介测量得到的结温，通常来说，功率半导体的结温是没有办法直接测量到的，如MOSFET可以通过体二极管的正向电压测量，因此，Tvj用来代替Tj。

4试验装置

SiCMOSFET高温栅偏试验装置应能够提供合适的SiCMOSFET偏置电压及所需的高温环境。所使用的试验装置的关键组成如下：

a)功率偏置单元（电源）。功率偏置单元（电源）应能满足半导体器件所需的偏置电压范围；

b)温度控制系统。使用具有良好温度控制能力的恒温槽或热平台或温箱，以提供所需的高温应力环境；

c)测量设备或测量系统。包括但不限于示波器、电流表、电压表、温度传感器、源测量单元等，能够记录相关的试验数据，包括温度、试验时间、电参数测试信息和结果。

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5试验步骤

5.1目的

SiCMOSFETVGS(th)会因器件的开关而出现迟滞效应，但这不是老化效应。需要进行预处理以获得明确的测量信号。这一过程在所有测量期间都必须相同。

本试验用于确定随着时间的推移，电气应力和热应力对SiCMOSFET的综合影响。它模拟了加速条件下的工作状态，用于器件的质量验证和栅极电介质的可靠性监控（老化筛选）。在质量验证的框架内，重点是验证指定的使用寿命和使用寿命极限，而可靠性监控则聚焦于与生产相关的早期失效。

本试验旨在评估：

a)栅极电介质的完整性。