SiC MOSFET阈值电压测试方法-征求意见稿.docx

T/CASAS021—202X(征求意见稿)

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碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）阈值电压测试方法

1范围

本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）阈值电压测试方法。本文件适用于N沟道SiCMOSFET晶圆、芯片及封装产品的测试。

2规范性引用文件

本文件没有规范性引用文件。

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1

漏源电压drain-sourcevoltage

VDS

器件的漏极和源极之间的电压。

3.2

栅源电压gate-sourcevoltage

VGS

器件的栅极和源极之间的电压。

3.3

阈值电压thresholdvoltage

VT

漏极电流达到规定低值时的栅源电压。

3.4

漏极电流drain-sourcecurrent

IDS

在规定的栅-漏条件下，漏极流向源极的电流。

3.5

阈值电流thresholdcurrent

Ith

栅-源电压为阈值电压时，在漏-源流过的电流。

3.6

栅极预偏置电压gatepre-conditionvoltage

Vcon

阈值电压测试前，对器件栅极进行预偏置的电压，正偏置或负偏置。

3.7

栅极预偏置时间gatepre-conditiontime

tcon

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阈值电压测试前，对器件栅极施加预偏置电压的时间。

3.8

间隔时间floattime

tfloat

进行栅极预偏置后与开始阈值电压测试前之间的时间间隔。

3.9

阈值电压测试时间thresholdvoltagemeasuringtime

tVT

在栅极预偏置和间隔时间结束后，调整栅-源电压，测试阈值电压需要的时间。

3.10

阈值电压扫描方向thresholdvoltagesweepdirection

使用电压源步进扫描法测试阈值电压时栅-源电压的扫描方向，由低向高或由高向低。

3.11

阈值电压扫描范围thresholdvoltagesweeprangeVTH.range

使用电压源步进扫描法测试阈值电压时由栅-源电压的扫描起始值和终止值之间的电压范围。

3.12

扫描步长sweepstep

VTH.step

阈值电压扫描范围与扫描点数的比值。

3.13

电源-测量单元sourcemeasurementunitSMU

使用电压源/电流源提供精确的电压/电流，并可同步测量电流/电压的设备。

4试验程序

4.1双电压源扫描法

4.1.1电路图

栅极预偏置电路见图1，测试电路见图2。

Drain

SourceSMU1Gate

Source

A

卡

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图1栅极预偏置电路

Drain

Drain

SMU2ASourceOSMU1Gate

SMU2

A

SourceO

A

图2双电压源扫描法测试电路

4.1.2电路说明和要求

在如图1所示的栅极预偏置电路中，SMU1为带有电流表的可变直流电压源。

在如图2所示的双电压源扫描法测试电路中，SMU1仍为带有电流表的可变直流电压源；SMU2为带有电流表的直流电压源；SMU1与SMU2应保持时序同步。

两个电路间能进行电气切换，并能按照如图5所示的时序向被测器件的栅极和漏极施加预偏置电压和测试电压。

(a)(b)

图3双电压源扫描法测试时序(a)正向预偏置扫描(b)负向预偏置扫描

4.1.3测试步骤

测试步骤如下：

a)采用如图1所示的栅预偏置电路对被测件进行预偏置，由SMU1施加规定的栅极预偏置电压Vcon、栅极预偏置时间tcon；

b)预偏置完成后切断栅极预偏置电压，经过规定的间隔时间tfloat；

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c)间隔时间结束后，将电路切换到如图2所示的双电压源扫描法测试电路，由SMU1按照规定的阈值电压扫描方向、扫描范围、测试时间施加栅极扫描电压，如图3所示，同时由SMU2施加规定的漏源电压，同步监测漏极电流；

d)当SMU2监测的漏极电流达到规定值时，由SMU1读出相应的栅源电压VGS，即为阈值电压VT。注1：可在负偏置栅极应力试验过程中使用负的预偏置电压，但除此之外宜使用正的预偏置电压。

注2：当使用正的预偏置电压时，阈值电压扫描方向为由高到低，否则为由低到高。注3：当VDS电压大于100