碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 SiC MOSFET阈值电压测试方法.pdf

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）阈值电压测

试方法

1范围

本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）阈值电压测试方法。

本文件适用于N沟道SiCMOSFET晶圆、芯片及封装产品的测试。

2规范性引用文件

本文件没有规范性引用文件。

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

漏源电压drain-sourcevoltage

V

DS

器件的漏极和源极之间的电压。

栅源电压gate-sourcevoltage

V

GS

器件的栅极和源极之间的电压。

阈值电压thresholdvoltage

V

T

漏极电流达到规定低值时的栅源电压。

漏极电流drain-sourcecurrent

IDS

在规定的栅-漏条件下，漏极流向源极的电流。

阈值电流thresholdcurrent

Ith

栅-源电压为阈值电压时，在漏-源流过的电流。

栅极预偏置电压gatepre-conditionvoltage

V

con

阈值电压测试前，对器件栅极进行预偏置的电压，正偏置或负偏置。

栅极预偏置时间gatepre-conditiontime

t

con

1

阈值电压测试前，对器件栅极施加预偏置电压的时间。

间隔时间floattime

tfloat

进行栅极预偏置后与开始阈值电压测试前之间的时间间隔。

阈值电压测试时间thresholdvoltagemeasuringtime

tVT

在栅极预偏置和间隔时间结束后，调整栅-源电压，测试阈值电压需要的时间。

阈值电压扫描方向thresholdvoltagesweepdirection

使用电压源步进扫描法测试阈值电压时栅-源电压的扫描方向，由低向高或由高向低。

阈值电压扫描范围thresholdvoltagesweeprange

V

TH.range

使用电压源步进扫描法测试阈值电压时由栅-源电压的扫描起始值和终止值之间的电压范围。

扫描步长sweepstep

V

TH.step

阈值电压扫描范围与扫描点数的比值。

电源-测量单元sourcemeasurementunit

SMU

使用电压源/电流源提供精确的电压/电流，并可同步测量电流/电压的设备。

4试验程序

双电压源扫描法

4.1.1电路图

栅极预偏置电路见图1，测试电路见图2。

Drain

Gate

SMU1

A

Source

2

图1栅极预偏置电路

Drain

Gate

SMU2SMU1

AASource

图