铝丝键合脱离与根部断裂失效分析.docVIP

综述

铝丝键合脱离与根部断裂失效分析

11,21,21,2刘斌,安兵,王波,吴懿平

,1.武汉光电国家实验室,湖北武汉430074，2.华中科技大学材料学院,湖北武汉430074,

摘要,粗铝丝使用V型劈刀键合时,键合区域中心应力应变较小不易形成键合,而周边部位应力应变较大容易发生有效结合。在热循环应力作用下,键合焊点的中心区域易形成“裂纹”迅速向前端扩展,最后引发焊点脱离。对根部断裂断口分析发现,热应力疲劳是其断裂的主要原因,裂纹源在焊点根部与劈刀边缘接触部位。ANSYS分析得出的键合区域应力分布与变形情况解释了产生上述现象的原因。

关键词,引线键合;可靠性;失效分析;有限元分析

中图分类号,TN305文献标识码,A文章编号,1001-3474:2010:04-0187-05

FailureAnalysisinAluminumWireBondLiftandHeelCrack

a,ba,bba,bLIUBin,ANnBing,WANGBoa,WUYi-ping

(a.WuhanNationalLaboratoryforOptoelectronics,Wuhan,430074China;

b.HuazhongUniversityofScienceandTechnology,Wuhan,430074China)

Abstract:ThickaluminumwirebondedwithV-groovewedgewasstudied.Itwasshowedthatthecentralareaofthebond

pointwasdifficulttoformabond,whiletheperipheralareacanformaneffectivebondeasily,becausethestressandstrainof

theperipheralareawaslargerthanthecentralarea.Whenthebondpointwassubjectedtothermalcyclestress,the“crack”can

easilyinitiatedfromthecentralareaandpropagaterapidlyuntilbondliftformed.Theheelcrackfracturewasanalyzed,itwas

foundthatthethermalstressfatigueisthemainreasonofheelcrack,andthecrackwasinitiatedfromthebondheelsurface

wherecontactwiththeedgeofthewedge.ThephenomenamentionedabovewasexplainedbythestressanddeformdistributionofbondpointsimulatedbyANSYSanalysis.

Keywords:Wirebond;Reliability;Failureanalysis;Finiteelementanalysis

Documentcode:AArticleID:1001-3474(2010)04-0187-05

引线键合是将半导体芯片焊区与引线框架或基板较小时难以破碎并去除氧化膜,界面结合力不够;而上的金属布线焊区用金属细丝连接起来的封装工艺技参数较大时焊点形状又远远超出标准范围,界面结合

[1]术。由于高纯铝丝导电性好、耐蚀性优、价格便宜并力及可靠性均严重下降。某公司在To-220封装的功与铝膜不产生金属间化合物,因此铝丝和铝合金丝引率器件生产中,时常发生镀镍引线框架与铝丝键合的线键合是晶体管与集成电路封装广泛使用的连接方法脱离与根部断裂失效。为此,本文拟通过热循环加速之一。在功率器件封装中,引线框架键合区域广泛采试验,获得第二键合点的脱离失效与根部断裂失效,用镀镍层。镍性能稳定,在空气中能迅速在表面形成用ANSYS对键合过程中应力分布及键合区域变形情

[2,3]一层极薄的致密钝化膜,阻止氧化的进一步发生,温况进行初步模拟,找出焊点脱离和根部断裂的原因。度较高时:如芯片贴装:更易形成。但镍层本身硬度

较高,而氧化膜相对较软