原创力文档- 1、本文档共22页，可阅读全部内容。
- 2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
中华人民共和国工业和信息化部
电子计量技术规范
JJFZ(电子)008─2022
在片电学参数标准件校准规范
CalibrationSpecificationForOn-waferElectricalParametersStandards
××××-××-××发布××××-××-××实施
中华人民共和国工业和信息化部发布
JJFZ（电子）008-2022
在片电学参数标准件校准
规范JJFZ(电子)008─2022
CalibrationSpecificationForOn-wafer
ElectricalParametersStandards
归口单位：中国电子技术标准化研究院
主要起草单位：中国电子科技集团公司第十三研究所
本规范技术条文委托起草单位负责解释
JJFZ（电子）008-2022
本规范主要起草人：
丁晨（中国电子科技集团公司第十三研究所）
吴爱华（中国电子科技集团公司第十三研究所）
翟玉卫（中国电子科技集团公司第十三研究所）
参加起草人：
乔玉娥（中国电子科技集团公司第十三研究所）
刘岩（中国电子科技集团公司第十三研究所）
范雅洁（中国电子科技集团公司第十三研究所）
JJFZ（电子）008-2022
目录
引言II
1范围1
2引用文件1
3术语与定义1
4概述1
5计量特性1
5.1在片低值电阻1
5.2在片高值电阻1
5.3在片电容1
6校准条件1
6.1环境条件1
6.2测量标准及其他设备1
7校准项目和校准方法2
7.1校准项目2
7.2校准方法2
8校准结果表达6
9复校时间间隔7
10附录7
附录A原始记录格式8
附录B校准证书内页格式10
附录C测量不确定度评定示例12
I
JJFZ（电子）008-2022
引言
本规范依据JJF1071−2010《国家计量校准规范编写规则》、JJF1059.1−2012《测
量不确定度评定与表示》编写。
本规范为首次发布。
II
JJFZ（电子）008-2022
在片电学参数标准件校准规范
1范围
本规范适用于低值电阻范围在1Ω~1000Ω、高值电阻范围在100MΩ~1GΩ，电容范
围在1pF~100pF（1kHz~1MHz）的在片电学参数标准件的校准。
2引用文件
无
3术语与定义
下列术语和定义适用于本规范。
3.1在片电学参数标准件on-waferelectricalparametersstandards
用于校准在片测试系统电学参数的量传标准件，为在片形式且赋有标准值，通常包
含低值电阻、高值电阻和电容三个参数，也有包含单参数或两个参数的标准件，其中低
值电阻包含在片短路器，电容包含在片开路器。
4概述
在片电学参数标准件是校准在片测试系统电学参数的
文档评论（0）