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摘要
摘要
近年来低气压容性耦合等离子体在薄膜表面改性和微电子刻蚀等领域有着不
可替代的作用,其中等离子体工艺在材料表面的溅射沉积和在单晶硅片上刻蚀集
成电路的沟槽等领域得到了广泛的应用。在大规模工业制造中需要调控等离子体
的各种参数变化,因而研究各种变量对等离子体放电特性的影响是十分重要的。
在本文的第一部分工作中采用PIC/MCC程序模拟了等离子体中电流产生的磁
场对容性耦合氩等离子体放电中的一些离子参数随功率和频率的
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