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第四章硅、锗晶体中的杂质和缺陷
®半导体材料中的杂质和缺陷对其性质具有重要影响。
4-1硅、锗晶体中杂质的性质
4-1-1杂质能
杂质对硅、锗电学性质的影响与杂质的类型和能级在禁带
中的位置等有关。
硅.、锗的杂质大致可分为两类：
1.周期表中Ⅲ族或Ⅴ族杂质。
特点：电离能低，对材料的电导率影响大，起受主或施主
作用。
1
2.周期表中除Ⅲ族和Ⅴ族以外的杂质(如Ⅰ副族和过渡
金属元素)。
特点：电离能大，对材料的导电性质影响小，主要起
复合中心或陷阱的作用。
杂质在硅、锗中的能级与它的原子构造、在晶格
中所占的位置有关。
如：Ⅲ族和Ⅴ族杂质在锗中占替代式晶格位置，电离
后，可提供一个受主或施主能级；
Ⅱ族的Zn或Cd杂质原子进入锗中,居替代作用，电离
后，可提供两个受主能级。
2
Ⅰ副族元素金有三个受主能级和一个施主能级。
多重能级的作用与温度及材料中存在的其它杂质的类型
和浓度等有关系。
金在锗中的行为为例说明多重能级特性：
l金是周期表中ⅠB族的元素；
l掺入锗中处于替代锗原子的位置；
l接受第一、二、三个电子所需的能量分别为E+0.15eV，
v
E-0.20eV和E-0.04eV；
cc
l金原子外层有一个电子，可以受激到导带成为自由电
子，产生一个施主能E+0.05eV。
v
3
金的各能级电子分布状态与材料中存在的其它杂质的种
类和数量及温度有关。
1.锗中掺有N型浅施主杂质（如砷）时，金的受主能级起
补偿作用，有几种情况：
⑴0＜NAs＜NAu（NAs、NAu分别代表砷浓度和金浓度）时，
砷能级电子全部落入金的第一受主能级上但还不能填满它。
温度，价带中的电子受热激发填充此受主能级，材料
呈现P型。
4
E
C
Ec-0.04eV
Ec-0.20eV
Ev+0.15eV
Ev+0.05eV
E
V
Ge中的Au杂质能级
5
⑵NAu＜NAs＜2NAu，砷能级上的电子填满金的第一
受主能级后并开始部分填充金的第二受主能级。
¬升温时，第二受主能级上的电子激发到导带的能
量比价带电子激发到第二受主能级的能量小。
¬热激发会使第二受主能级中部分填充的电子激发
到导带中去，材料呈现N型。
⑷NAs＞3NAu，所有金的三个受主能级都填充了电
子，剩余的砷浅施主能级上的电子被激发到导带中
去，材料亦呈现N型。
6
2.当锗中有P型浅受主杂质（如镓）时，金的施主能级
起补偿作
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