2024届高考化学二轮复习题型强化练(三)含答案.pdfVIP

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题型强化练(三)化学工业流程题解题突破

1.(2023·湖南卷)超纯Ga(CH)是制备第三代半导体的支撑源材料之一,近年来,我国科技

33

工作者开发了超纯纯化、超纯分析和超纯灌装一系列高新技术,在研制超纯Ga(CH)方面

33

取得了显著成果。工业上以粗镓为原料,制备超纯Ga(CH)的工艺流程如下:

33

已知:①金属Ga的化学性质和Al相似,Ga的熔点为29.8℃。

②EtO(乙醚)和NR(三正辛胺)在上述流程中可作为配体。

23

③相关物质的沸点:

物质Ga(CH)EtOCHINR

33233

沸点/℃55.734.642.4365.8

回答下列问题:

(1)晶体Ga(CH)的晶体类型是__________。

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(2)“电解精炼”装置如图所示,电解池温度控制在40~45℃的原因是__________________,

阴极的电极反应式为_____________________________________________________

________________________________________________________________________。

(3)“合成Ga(CH)(EtO)”工序中的产物还包括MgI和CHMgI,写出该反应的化学方程

33223

式:________________________________________________________________________

________________________________________________________________________。

(4)“残渣”经纯水处理,能产生可燃性气体,该气体主要成分是________。

(5)下列说法错误的是__________(填字母)。

A.流程中EtO得到了循环利用

2

B.流程中,“合成GaMg”至“工序X”需在无水无氧的条件下进行

23

C.“工序X”的作用是解配Ga(CH)(NR),并蒸出Ga(CH)

33333

D.用核磁共振氢谱不能区分Ga(CH)和CHI

333

(6)直接分解Ga(CH)(EtO)不能制备超纯Ga(CH),而本流程采用“配体交换”工艺制备超

33233

纯Ga(CH)的理由是______________________________________________________

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________________________________________________________________________。

(7)比较分子中的C—Ga—C键角大小:Ga(CH)______(填“”“”或“=”)Ga(CH)(EtO),

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