铝碳化硅材料应用LED.pdfVIP

随着LED制造技术的飞跃以及器件更高性能的要求，对封装材料提出了更新、

更高的要求，传统材料不再适用于高功率密度器件的封装。过去大量使用的铝、

铜、可伐或半导体材料等不能达到良好的导热指标和轻便的要求，而且成本较高，

已不能满足这种高功率密度的需要。这使得电子器件热管理问题成为瓶颈。

电子器件热管理问题得不到很好的解决，会导致电子器件的热失效，从而造

成封装体与芯片因受热膨胀而开裂，芯片散热性不佳而停止工作。当两种接触材

料的热膨胀系数差异达到12ppm/K时，仅100次热循环就会出现热疲劳失效，

在大功率LED应用中，高亮度产品的电流量提高(电流由早期0.3A发展到目前

约1A)或因其高功率(由早期1W发展到目前约可达5W)致使单位面积高热量产

生。目前光电转换效率，每100%的能源只有约20%产生光，而有80%的能源变

为热能损耗，因此热量是能源最大的消耗。但同时若不移除多余的热能，则LED

使用寿命及效能将折损。

为了保证此类设备的可靠性，就需要解决热管理这个问题。解决这一瓶颈最

好的方法就是通过改变提高封装材料的性能。

一、大功率LED照明光源需要解决的散热问题

大功率LED芯片在工作时就会产生大量的热量。如何将产生的热量散发出

去，保证一定环境温度条件下能长期正常工作显得尤为重要，解决好热耗散是大

功率器件封装的关键。

大功率LED照明光源需要解决的散热问题涉及以下几个环节：

1、晶片PN结到外延层;

2、外延层到封装基板;

3、封装基板到散热器

4、散热器到空气

为了取得好的导热效果，提高对流散热。LED发出的热量通过导热硅脂/焊

锡传递给基板，再通导热硅脂传递给铝散热器再将热量通过辐射和对流的方式带

到周围的空气中，将热量排除，形成从LED芯片通过导热硅脂和铝基板到周围

空气的散热通路。材料热传导性能的一个很重要的指标是热阻，热阻是指热量传

递通道上两个参点之间的温度差与两点间热量传递速率的比值。

越短的热传导距离、越大的截面积、越高的热传导系数对热阻的降低越有利，这

就要求设计合理的封装结构和选择合适的材料。

大功率LED所产生的热量主要通过基板材料传导到外壳而散发出去，不同

的基板材料，其导热性能各异。高导热的基板可以满足自然冷却的要求，要解决

这一问题，基板的选择是关键。提高基板的综合性能，使得LED在范围内温度

下工作已成为一个亟待解决的问题。一些传统的材料综合其性能、环保、成本等

因素，难以满足大功率器件封装的要求，我们必须不断去发掘新的材料，使其更

加符合大功率LED散热的要求。

二、铝碳化硅(Alsic)的材料特性

产品的性能优势是由材料的技术特点决定的，在微电子封装中使用何种封装

材料主要取决于三种技术参数，即热导率、热膨胀系数和密度。热导率高的材料

导热性能好，是优先考虑的封装材料;而热膨胀系数则需要与芯片的膨胀系数相

匹配，这样才不会在热循环后使封装体与芯片开裂;对于材料密度而言，追求越

轻越好的，即低密度材料。下表表现了目前使用较多的几种封装材料在三个主要

性能指标上的比较。

不同材料性能指标比

密度热膨胀系数热导率

材料成分

(g/cm3)(10-6/K)(W/mK)

AlSiCAl+(50%-70%)SiC2.90-3.036.5-9.0220-230

CuWW+(10%-20%)Cu15.6-17.06.5-8.3180-200

CuMoMo+(15%-20%)Cu10.007.0-8.0160-170

AlSi60%Al+40%Si2.5315.4126

KovarFe+Ni8.105.917