p型半导体形成的肖特基mis结构的耗尽区宽度 表面势的关系.pdfVIP

p型半导体形成的肖特基mis结构的耗尽区宽度表面势的

关系

1.引言

1.1概述

本文研究的是p型半导体形成的肖特基MIS结构中，耗尽区宽度与表面势之间

的关系。MIS结构作为一种重要的电子器件结构，在微电子领域有着广泛的应用。

了解耗尽区宽度与表面势之间的关系对于设计和优化MIS结构具有重要意义。

1.2文章结构

本文主要分为五个部分进行讨论。首先是引言部分，介绍了文章的背景和目标。

第二部分是肖特基结构和p型半导体的概述，包括肖特基结构的定义、p型半导

体的简介以及肖特基结构形成原理。第三部分是MIS结构介绍，包括MIS结构

的定义和组成，以及其工作原理。同时还简单介绍了耗尽区宽度与表面势之间的

关系。

接下来，第四部分将详细探究p型半导体形成的肖特基MIS结构中耗尽区宽度

与表面势之间的关系。该部分将回顾相关研究背景和目的，并详细描述实验设计

和方法论。最后给出实验结果和数据分析。

文章的最后一部分是结论与展望，对实验结果进行总结和归纳，并探讨未来进一

步研究的展望和建议。

1.3目的

本文旨在研究p型半导体形成的肖特基MIS结构中耗尽区宽度与表面势之间的

关系。通过深入探究其原理和实验研究，期望能够为MIS结构的设计和优化提

供有益参考，同时为进一步探索相关领域的研究方向指明道路。

2.肖特基结构和p型半导体

2.1肖特基结构概述

肖特基结构是一种介电层（通常为氧化铝）与金属之间形成的特殊接触。在肖特

基结构中，金属被联系到p型半导体上，形成一个二极管。该二极管的一个端

口通过金属与p型半导体接触，形成Schottky势垒，另一个端口则通过p-n结

与n型半导体连接。

2.2p型半导体简介

p型半导体是一种掺杂有三价元素（如硼、铝等）的半导体材料。在p型半导体

中，掺入的三价元素会提供少数载流子即空穴。空穴在杂质原子周围存在，并具

有正电荷。

2.3肖特基结构形成原理

当金属与p型半导体接触时，由于能带弯曲效应以及能级变化的影响，在接触

面附近生成了Schottky势垒。这个势垒对电子和空穴有不同的作用：对于电子

来说是阻挡作用（不能跨越这个势垒），然而对于空穴来说是更容易跨越的。因

此，肖特基结构形成了一个具有整流特性的二极管。

在这种结构下，当外加正向电压时，由于p型半导体中空穴浓度较高，它们会

进一步注入金属中。而当施加反向电压时，肖特基势垒会增加，并抵消部分外加

反向电压。因此，在正向偏置条件下，肖特基二极管具有低电阻且可以通过电流，

而在反向偏置条件下则具有较高的电阻。

了解肖特基结构和p型半导体的特性对于深入理解MIS结构及其耗尽区宽度与

表面势关系非常重要。下一节将介绍MIS结构并探讨耗尽区宽度与表面势之间

的关系。

3.MIS结构介绍

3.1MIS结构定义与组成

MIS结构是指金属-绝缘体-半导体结构，由金属层、绝缘体层和半导体层组成。

在MIS结构中，金属层起到电极的作用，绝缘体层用于隔离金属与半导体之间

的电荷载流子传递，并提供一定的电场控制能力。半导体层则是具有特定载流子

特性的材料，在MIS结构中起到调制电荷传输的作用。

3.2MIS结构工作原理

当MIS结构施加外加偏压时，由于绝缘体的存在，金属与半导体之间无法直接

形成通道或接触。然而，在逆向偏置条件下，有可能发生倒转击穿现象，在该情

况下可以产生明显的击穿电流。

在正向偏置条件下，如果绝缘体足够薄且表面质量良好，则少数载流子（例如空

穴）可以通过空穴穿隧效应在MIS界面上隧道到达半导体表面。这就允许通过

控制金属栅极电压来改变半导体的载流子浓度，从而实现MIS