天大微电子器件课件.pdfVIP

第2章PN结二极管

⚫

⚫2.2频率特性和开关特性

⚫2.3PN结的电击穿

1.直流特性

1.非平衡PN结

⚫处于一定偏置状态下的PN结称为非平衡PN结。

⚫当P区接电源的正极，N区接电源的负极，称为正向

PN结。反之，则称反向PN结。

2.1.2、正向PN结

（1）少子注入

正向电压使势垒区宽度变窄、

势垒高度变低

外加电场与内建电场方向相反

外加电场与内建电场方向相反

➔空间电荷区中的电场减弱

空间电荷区中的电场减弱

➔破坏扩散与漂移间的

破坏扩散与漂移间的

平衡

扩散强于漂移

➔注入少子

➔注入的少子边扩散边复合

P区N区

（2）正向PN结中载流子的

jp

电流在N型区中主要由电子携带

jn

电流在P型区中主要由空穴携带

LL

np

通过PN结的电流存在电流载体

转换的现象

2.1.3反向PN结

（1）反向PN结的少子抽取

反向电压使势垒区宽度变宽

势垒高度变高

外加电场与内建电场方向相同

增强空间电荷区中的电场

破坏扩散漂移平衡

➔漂移强于扩散

LL

➔抽取少子np

P区N区

jp

(2)反向PN结中载流子的jn

LL

np

2.1.4V-I特性方程

一、理想PN结模型

1小注入。即注入的非平衡少数载流子

浓度远低于平衡多子浓度,即掺杂浓度。

2外加电压全部降落在势垒区，势垒区

以外为电中性区。

3忽略势垒区载流子的产生-复合作用。

通过势垒区的电流密度不变。

4忽略表面对电流的影响。

5只考虑一维情况。

二.坐标

以x、x为坐标原点分

np

别建立坐标系。

步骤：

⚫求解“非少子”的扩散

方程

⚫→求“非少子”浓度的

边界值

⚫→求“非少子”浓度梯

度