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微电子器件基础 第2章PN结二极管

第2章PN结二极管2.1直流特性2.2频率特性和开关特性2.3PN结的电击穿

2.1直流特性2.1.1非平衡PN结处于一定偏置状态下的PN结称为非平衡PN结。当P区接电源的正极，N区接电源的负极，称为正向PN结。反之，则称反向PN结。

2.1直流特性2.1.2、正向PN结（1）少子注入正向电压使 势垒区宽度变窄、 势垒高度变低外加电场与内建电场方向相反 ?空间电荷区中的电场减弱 ?破坏扩散与漂移运动间的平衡 扩散运动强于漂移运动 ?注入少子 ?注入的少子边扩散边复合

2.1直流特性（2）正向PN结中载流子的运动电流在N型区中主要由电子携带电流在P型区中主要由空穴携带 通过PN结的电流存在电流载体转换的现象P区N区jnjpLnLp

2.1直流特性2.1.3反向PN结（1）反向PN结的少子抽取反向电压使 势垒区宽度变宽 势垒高度变高外加电场与内建电场方向相同增强空间电荷区中的电场破坏扩散漂移运动平衡漂移运动强于扩散运动抽取少子LnLp

2.1直流特性(2)反向PN结中载流子的运动P区N区jpjnLnLp

2.1直流特性2.1.4V-I特性方程一、理想PN结模型 （1）小注入。即注入的非平衡少数载流子浓度远低于平衡多子浓度,即掺杂浓度。

（2）外加电压全部降落在势垒区，势垒区以外为电中性区。

（3）忽略势垒区载流子的产生-复合作用。通过势垒区的电流密度不变。

（4）忽略半导体表面对电流的影响。

（5）只考虑一维情况。

2.1直流特性二.坐标 以xn、xp为坐标原点分别建立坐标系。步骤：求解“非少子”的扩散方程→求“非少子”浓度的边界值→求“非少子”浓度梯度→分别求电子、空穴的扩散电流密度→求PN结电流

2.1直流特性

2.1直流特性

2.1直流特性

2.1直流特性肖克莱方程

2.1直流特性单边结近似 对于P+N结NAND 对于N+P结NDNA

2.1直流特性2.1.5V-I特性方程的讨论（1）（2）（3）小电流下，正向电流比理论值大；要考虑势垒复合电流的影响。（4）大电流下，正向电流比理论值小，势垒区以外存在大注入自建电场。（5）反向电流比理论值大；要考虑表面漏电流及势垒产生电流JG的影响。（6）当T升高时，JF增大，JR增大。

2.1直流特性2.1.6大注入1.大注入定义：正偏工作，注入载流子密度等于或大于平衡多子的工作状态。2.大注入效应：内建电场，加速电导调制效应

2.2频率特性和开关特性基本概念频率特性大信号工作小信号工作

2.2频率特性和开关特性PN结大信号工作特点：ID-VA特性，CD-VA特性以及CT-VA特性都是非线性的PN结小信号工作特点：信号电流与信号电压之间满足线性变化关系

2.2频率特性和开关特性小信号等效电路

2.3PN结的电击穿2.3.1PN结击穿的含义 PN结反向电压超过某一数值时，反向电流急剧增加的现象称为“PN结击穿”，这时的电压称为击穿电压（VR）VRIV

2.3PN结的电击穿2.3.2产生击穿的机构产生击穿的机制热效应隧道效应雪崩效应

2.3PN结的电击穿一、雪崩击穿 PN结加大的反向偏压? 载流子从电场获得能量? 载流子与晶格碰撞? 能量足够大时价带电子被激发到导带产生一对电子－空穴? 新形成的电子、空穴被电场加速，碰撞出新的电子、空穴? 载流子倍增硅PN结发生雪崩击穿的电场强度为105～106V/cm非破坏性可逆击穿

2.3PN结的电击穿二、隧道击穿 反向偏压升高?P区价带顶高于N区导带底? 当势垒区宽度较小? P区价带电子按一定几率穿透势垒到达N区导带? 形成电子空穴对 这种效应称“隧道效应”一般： 隧道击穿的电压较低，如SiPN结，VB4.5V 雪崩击穿的电压较高，如SiPN结，VB6.7V非破坏性可逆击穿P+区N+区势垒区ECEV

2.3PN结的电击穿三、热击穿热损耗?局部升温?电流增加破坏性击穿

习题1.考虑T=300K时的单边P+N硅二极管，其掺杂浓度为Na=1018cm-3.设计出该pn结使得VR=3.5V时，Cj=0.95pF。计算出VR=1.5V时的势垒电容。