基于Silvaco TCAD仿真器对纳米结构FET的性能仿真与分析.docx

基于SilvacoTCAD仿真器对纳米结构FET的性能仿真与分析

Abstract

在半导体领域，对器件进行仿真研究是一件非常有必要的事情。在这篇文章中，我们的工作是研究金属氧化物半导体场效应晶体管的电气特性，并且使用SilvacoTCAD仿真软件完成此仿真。通过理论分析器件的阈值电压，漏电流和亚阈值摆幅来理解其影响因素，我们对FET进行不同栅介质层材料，沟道材料以及沟道厚度的仿真，从而确定我们需要的器件结构及其各项参数。并且通过实验测量真实器件的输出特性、转移特性和pH值特性，将实验结果与SilvacoATLAS设备仿真数据进行比较，从而验证我们器件仿真结果的准确性。

Introdu