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霍尔效应法测磁场实验报告

篇一：物理实验报告3_利用霍尔效应测磁场

实验名称：利用霍耳效应测磁场

实验目的：

a．了解产生霍耳效应的物理过程；

b．学习用霍尔器件测量长直螺线管的轴向磁场分布；

c．学习用“对称测量法”消除负效应的影响，测量试

样的Vh?Is和Vh?Im曲线；d．确定试样的导电类型、载流

子浓度以及迁移率。

实验仪器：

Th－h型霍尔效应实验组合仪等。

实验原理和方法：

1.用霍尔器件测量磁场的工作原理

如下图所示，一块切成矩形的半导体薄片长为l、宽为

b、厚为d，置于磁场中。磁场b垂直于薄片平面。若沿着薄

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片长的方向有电流I通过，则在侧面A和b间产生电位差

Vh?VA?Vb。此电位差称为霍尔电压。

半导体片中的电子都处于一定的能带之中，但能参与导

电的只是导带中的电子和价带中的空穴，它们被称为载流子。

对于n型半导体片来说，多数载流子为电子；在p型半导体

中，多数载流子被称为空穴。再研究半导体的特性时，有事

可以忽略少数载流子的影响。霍尔效应是由运动电荷在磁场

中收到洛仑兹力的作用而产生的。以n型半导体构成的霍尔

元件为例，多数载流子为电子，设电子的运动速度为v，则

它在磁场中收到的磁场力即洛仑兹力为

Fm??ev?b

F的方向垂直于v和b构成的平面，并遵守右手螺旋法

则，上式表明洛仑兹力F的方向与电荷的正负有关。

自由电子在磁场作用下发生定向便宜，薄片两侧面分别

出现了正负电荷的积聚，以两个

侧面有了电位差。同时，由于两侧面之间的电位差的存

在，由此而产生静电场，若其电场强度为ex，则电子又受到

一个静电力作用，其大小为

Fe?eex

电子所受的静电力与洛仑兹力相反。当两个力的大小相

等时，达到一种平衡即霍尔电势不再变化，电子也不再偏转，

此时，

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ex?bV

两个侧面的电位差

Vh?exb

由I?nevbd及以上两式得

Vh?[1/(ned)]Ib

其中：n为单位体积内的电子数；e为电子电量；d为薄

片厚度。

令霍尔器件灵敏度系数

则Vh?IsVh?KhIb

若常数Kh已知，并测定了霍尔电动势Vh和电流I就可

由上式求出磁感应强度b的大小。上式是在理想情况下得到

的，实际测量半导体薄片良策得到的不只是Vh，还包括电热

现象（爱廷豪森效应）和温差电现象（能斯特效应和里纪勒

杜克效应）而产生的附加电势。另外，由于霍尔元件材料本

身不均匀，霍尔电极位置不对称，即使不存在磁场的情况下

（如下图所示），当有电流I通过霍尔片时，p、Q两极也会

处在不同的等位面上。因此霍尔元件存在着由于p、Q电位

不相等而附加的电势，称之为不等电位差或零位误差。而这

种不等电位差与其他附加电势相比较为突出。

2．霍尔元件的有关参数

（1）迁移率?

在低电场下载流子的平均漂移速度v与电场强度e成正

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比，比例常数定义为载流子的漂移率，简称迁移率，以?表

示：

v??e

在一般情况下，由电场作用产生的载流子的定向漂移运

动形成的电流密度J与电场强度e成正比，比例常数定义为

电阻率?，电阻率的倒数称为电导率?。

e??J

电导率与载流子的浓度以及迁移率之间有如下关系：

??ne?

即??Kh?d，测出?值即可求?。

（2）由Kh的符号（或霍尔电压的正负）判断样品的导