《集成电路设计原理》试卷及答案解读.pdfVIP

《集成电路设计原理》试卷及答案解读.pdf

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电科《集成电路原理》期末考试试卷

一、填空题

1.(1分)年,第一次观测到了具有放大作用的晶体管。

2.(2分)摩尔定律是

指。

3.集成电路按工作原理来分可分

为、、。

4.(4分)光刻的工艺过程有底膜处理、涂胶、前烘、、、、和

去胶。

5.(4分)MOSFET可以分

为、、、

四种基本类型。

6.(3分)影响MOSFET阈值电压的因素有:、

以及。

7.(

2分)在CMOS反相器中,V,V分别作为PMOS和NMOS的和;作

inout

为PMOS的源极和体端,作为NMOS的源极和体端。

8.(2分)CMOS逻辑电路的功耗可以分为和。

9.(3分)下图的传输门阵列中V5V,各管的阈值电压V1V,电路中各节点的

DDT

初始电压为0,如果不考虑衬偏效应,则各输出节点的输出电压Y=V,Y=V,

12

Y=V。

3

V

DD

Y

1

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