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- 2024-08-21 发布于北京
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投资要点;重点关注公司及盈利预测;风险提示;目录
CONTENTS;01DRAM技术工艺逐渐步入瓶颈期,;1.1DRAM具备高速数据访问和传输能力;1.2DRAM沿用2D方式缩小器件尺寸遇阻;1.2DRAM沿用2D方式缩小器件尺寸遇阻;1.3HBM帮助DRAM从传统的2D过渡到3D;02 3DDRAM应运而生,有望改变DRAM行业生态;2.13DDRAM成为下一代DRAM的关键发展方向;2.13DDRAM成为下一代DRAM的关键发展方向;2.23DDRAM堆栈需要设计重构;2.23DDRAM堆栈需要设计重构;;;2.33DDRAM存储密度将显著高于2DDRAM;03 全球存储巨头纷纷布局
3D DRAM技术;3.1三星公布其3DDRAM开发路线图;3.2海力士首次披露其3DDRAM开发的具体数据和运行特性;3.3美光3DDRAM专利数量遥遥领先;3.4NEO半导体推出3DX-DRAM技术;3.5长江存储布局具有XTACKING架构的DRAM专利;3.6长鑫存储展示3DDRAM相关技术;3.73DDRAM技术相关专利快速增长;3.83DDRAM挑战与机遇并存;04 相 关 标 的;中微公司成立于2004年,主要从事半导体设备的研发、生产和销售,于2019年上市。公司主要为集成电路、L
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