《自动显示技术与仪表》课件第4章.ppt

2.新型场发射器件

如何形成阵列状的微尖结构是制作FED的关键，一般采用薄膜技术和微细加工技术。由于涉及到精密光刻、刻蚀和薄膜沉积技术，因此器件成本高，也很难实现大屏幕。由于FED中阳极结构、支撑和封接等方面改进的余地很小，成本主要取决于阴极。因此，要解决这个问题，必须用新的发射体材料和结构，同时避免精密的光刻技术。依电子发射源而分，新型FED又可分为碳纳米管型（CNT）、表面传导发射型（SED）、弹道电子表面发射型（BSD）、金属－绝缘体－金属型（MIM）以及金属－绝缘体－半导体－金属型（MISM）等。目前最为看好的应用主要是CNT和SED两大技术体系。1）碳纳米管型场致发射显示器（CNTFED）

过去FED在发展上遭遇很多瓶颈，但自1991年NEC的Lijima发表了一篇有关碳纳米管的文章后，研究人员发现，以纳米结构合成的石墨，或以纳米碳管做为场发射子，能够得到更好的场发射效率，从而使得碳纳米管合成技术成为开发新一代FED的热门材料。这类发射体包括在衬底上直接生长和用碳纳米管涂敷于衬底上两类。碳纳米管是由纯碳构成的细管状物质，其径向尺寸一般在纳米量级，管长则从纳米量级到毫米量级不等，尖端有很小的曲率半径。由于碳纳米管具有良好的导电性能，因此可以成为优良的场发射体，在很低的电场下，可以得到场发射显示所需的电流密度。碳纳米管显示器按结构可分为二极管结构和三极管结构。图4-53所示为二极管型CNTFED。阳极由涂敷荧光粉的条状透明导电膜组成，黑矩阵将其分隔开形成红、绿、蓝三色子像素。阴极由涂敷CNT的条形银膜构成。行列电极之间为丝网印刷的隔离层，厚度为10μm左右。阳极与阴极之间是障壁。障壁起到条形电极之间的绝缘、防止杂散电子攻击荧光粉以及阴阳极板之间的支撑作用。这种结构的CNTFED阴阳极间距在100~300μm之间，这就需要在阳极上施加500V以上的电压，因此需要高压驱动电路，导致较高的成本。且二极管结构的FED只能用低压荧光粉，上面不能覆盖铝膜，因此性能方面存在一定的问题。图4-53二极管型碳纳米管FED与二极管结构相比，三极管结构在阳极和阴极障壁间增加了网状栅极，栅极条与阳极荧光粉条一一对应。图4-54所示为三极管型CNTFED。阳极与栅极之间距离为2~4mm，阴极与栅极之间为0.3mm左右。工作时阳极电压为6000V，栅极电压为数百伏。图4-54三极管型碳纳米管FED2）表面传导发射显示器

SED的技术原理主要是利用表面传导发射电子的理论。SED与CNTFED的不同点在于，SED具有较小的驱动电压、不用聚焦电极以及较高均匀亮度等优点。

（1）结构和工作原理。

图4-55为其基本结构和工作原理图。前玻璃基板上涂有红、绿、蓝三色荧光粉，并作为阳极相对后玻璃基板加有几千伏的高压。后玻璃基板上有对应每个像素的金属电极，且金属电极间为氧化钯薄膜电子发射阴极。右图就是单个像素的示意图。生成了氧化钯膜的金属电极间距只有4~6nm，当金属电极间加上十几伏的电压后，极间将形成超高电场，氧化钯膜中的电子会被牵引出来，形成电子发射。图4-55SED的基本结构和工作原理发射出来的电子传导到另一电极的表面时，会有一部分电子被弹性散射到两玻璃基板之间的空间中去。这时前玻璃基板上所加的阳极高压将对这些电子加速，并使之快速撞击到前玻璃基板所涂敷的荧光粉上以发出可见光。由于金属电极是沿着同一块玻璃基板排列的，因此刚发射出来的电子是在玻璃基板表面传导的，这就是这种器件被命名为表面传导电子发射显示器的原因，这也是SED与其它的场致发射显示器（FED）的区别所在。（2）特点。由于SED由电子撞击荧光粉发光，属于自发光器件，因此不存在液晶显示的可视角不够和响应时间过长的问题；发光完全可控，不存在液晶显示的背光泄漏或等离子显示的预放电问题，黑色表现力大大提高；发光效率高，耗电量只有同规格的等离子和液晶显示器的一半；器件基本上是平面结构，可以完全采用印刷工艺生产，使生产成本大大低于PDP和LCD。

目前，电子发射效率低是制约SED发展的关键问题。若在发射稳定的前提下提高SED的发射率，则可以大大降低驱动电路的成本。4.7电子纸

4.7.1电子纸及其特点

书籍、杂志和报纸等各种各样的印刷品正在实现数字化，同时作为数字阅览用的终端的开发也正在进行中。这方面存在的问题是，