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西安电子科技大学
考试时间120分钟
《半导体物理2》试题
题号一二三四五六七八九十总分
分数
考试形式：闭卷；考试日期：年月日本试卷共二大题，满分100分。
班级学号姓名任课教师
一、问答题（80分）
1.什么是N型半导体？什么是P型半导体？如何获得？
答：①依靠导带电子导电的半导体叫N型半导体，主要通过掺诸如P、Sb等施主
杂质获得；②依靠价带空穴导电的半导体叫P型半导体，主要通过掺诸如B、In等受
主杂质获得；③掺杂方式主要有扩散和离子注入两种；经杂质补偿半导体的导电类型取
决于其掺杂浓度高者。
2.简述晶体管的直流工作原理（以NPN晶体管为例）
答：根据晶体管的两个PN结的偏置情况晶体管可工作在正向放大、饱和、截止和
反向放大模式。实际运用中主要是正向放大模式，此时发射结正偏，集电结反偏，以
NPN晶体管为例说明载流子运动过程；
①射区向基区注入电子；正偏的发射结上以多子扩散为主，发射区向基区注入电子，基
区向发射区注入空穴，电子流远大于空穴流；
②基区中自由电子边扩散边复合。电子注入基区后成为非平衡少子，故存在载流子复合，
但因基区很薄且不是重掺杂，所以大部分电子能到达集电结边缘；
③集电区收集自由电子：由于集电结反偏，从而将基区扩散来的电子扫入集电区形成电
子电流，另外还存在反向饱和电流，主要由集电区空穴组成，但很小，可以忽略。
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3.简述MOS场效应管的工作特性（以N沟增强型MOS为例）
答：把MOS管的源漏和衬底接地，在栅极上加一足够高的正电压，从静电学的观
点来看，这一正的栅极电压将要排斥栅下的P型衬底中的可动的空穴电荷而吸引电子。
电子在表面聚集到一定浓度时，栅下的P型层将变成N型层，即呈现反型。N反型层
与源漏两端的N型扩散层连通，就形成以电子为载流子的导电沟道。如果漏源之间有
电位差，将有电流流过。而且外加在栅极上的正电压越高，沟道区的电子浓度也越高，
导电情况也越好。如果加在栅极上的正电压比较小，不足以引起沟道区反型，则器件仍
处在不导通状态。引起沟道区产生强表面反型的最小栅电压，称为阀值电压。
4.画出MOS场效应管的工作曲线，并用文字说明各区域（以N沟增强型MOS为例）
截止区：V小于等于零，此时源漏之间的电流近似为零。
GS
线性区：V取一定的正电压，形成导电沟道。此时I与
GSDS
V成正比，对应曲线OA范围，即线性区。
DS
过渡区：V增大到一定程度时，沟道变窄，沟道电阻增大，
DS
I随V增加趋势变缓，对应曲线BC范围。
DSDS
饱和区：V继续增大到一定值使沟道夹断，此时V继续
DSDS
增大I基本保持不变，即达到饱和。
DS
击穿区：如果V再继续增加，使漏端PN结反偏电压过大，
DS
导致PN结击穿，使MOS晶体管进入击穿区。
5.晶体管的基极宽度会影响那些参数？为什么？
答：①影响电流增益，定性分析W越小，基区输运系数越大，从而电流增益越大；
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