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半导体物理与器件习题答案

【篇一：半导体物理与器件课后习题2】

图3.35所示色e-k关系曲线表示了两种可能的价带。说明其中哪一

种对应的空穴有效质量较大。为什么？

解：图中b曲线对应的空穴有效质量较大

空穴的有效质量：m*

p?121de?222?dk

?图中曲线a的弯曲程度大于曲线b

d2e故22dkd2e?22dk

ba

?m*

p?a??m*

p?b?

3.16图3.37所示为两种不同半导体材料导带中电子的e-k关系抛

物线，试确定两种电子的有效质量（以自由电子质量为单位）。

解：e-k关系曲线k=0附近的图形?k2

近似于抛物线故有：e?ec?*2mn

由图可知ec?0

①对于a曲线

1??1.055?10?0.1????2k210-10??*?31??4.97?10kg?0.55me

有mn（a）?-192e0.07?1.06?10?-342?2

②对于b曲线有

1??1.055?10??0.1?-10?22?k10?32m*??4.97?10kg?0.055men

（b）?-192e0.7?1.06?10?-342?2

3.20硅的能带图3.23b所示导带的最小能量出现在[100]方向上。

最小值附近一维方向上的能量可以近似为

s(k?k0)e?e0?e1co?

其中k0是最小能量的k值。是确定k?k0时的粒子的有效质量。

解：导带能量最小值附近一维方向上的能量

e?e0?e1cos?(k?k0)d2e?22??2e1cos?(k?k0)dk

d2e当k?k0时cos?(k?k0)?1；22??2e1dk11d2e?*?222又

mn?dk

?2

?k?k0时粒子的有效质量为：m?2?e1*n

3.24试确定t=300k时gaas中ev和ev-kt之间的总量子态数量。

h3?3*2pev?e

当t=300k时gaas中ev和ev?kt之间总量子态数量：

h3

h3

6.6262?10?3432?1.38?103?23?3003

2

?3.28?10?7cm?3

3.37某种材料t=300k时的费米能级为6.25ev。该材料中的电子符

合费米-狄拉克函数。（a）求6.50ev处能级被电子占据的概率。

（b）如果温度上升为t=950k，重复前面的计算（假设ef不变）.(c)

如果比费米能级低0.03ev处能级为空的概率是1%。此时温度为多

少？

解：根据费米-狄拉克分布函数：ff(e)?1

?e?ef1?exp??kt???（a）在6.50ev处能级被电子占据的概率：

ff(e)?1?3?6.37?10%-19??（6.50-6.25）?1.6?101?exp??-

23?300?1.38?10?

（b）温度上升为950k时6.50ev能级被占据概率：

ff(e)?1?4.52?10?3%-19?6.50-6.25）（?1.6?10?1?exp??-

23950?1.38?10??

（c）有题意可知比费米能级低0.3ev处能级为空的概率为1%，即

被占据的概率为99%

故此时温度为757k?11?exp??-

0.3e??0.99?kt??1?exp???0.3e?1?kt???0.99exp??0.3e?1?kt??

?0.01010.3?1.60?10?19?1.38?10?23t?in?1??0.0101??解得：

t?757k

【篇二：半导体物理习题及解答-刘诺】

体中的电子状态

1-1、什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什

么？试定性说

明之。

1-2、试定性说明ge、si的禁带宽度具有负温度系数的原