光导开关近年原文.ppt

第七章半导体光导开关西南科技大学2011.5.6主要内容光导开关的原理光导开关的应用制作开关的主要材料光导开关的各种结构开关的工作模式与机理一、光导开关工作原理1.定义：光导开关（Photoconductivesemiconductorswitch,PCSS）全称为光控光导半导体开关(OpticallyControlledPhotoconductivesemiconductorswitch,PCSS)光导开关是一种利用激光能量激励半导体材料，使其电导率发生变化而产生电脉冲的光电转换器件2.光导开关的基本结构光导开关工作原理3.光导开关工作原理:在没有光照(称为暗态)的情况下，由于光导材料的电阻率很高，通过开关的电流(称为暗电流)很小，开关基本上处于阻断状态。而当激光照射到光导材料上的时候，会在极短的时间内在光导材料体内产生大量的电子空穴对，使PCSS的电阻率骤然下降。开关很快从阻断状态转换为导通状态(简称通态)，这一转换过程可以在皮秒甚至亚皮秒量级的时间内完成。当光脉冲熄灭后，由于载流子的复合，PCSS将恢复到原阻断状态，这样在负载上就得到了一个电脉冲。改变光导材料的特性(如载流子的寿命)和激励光脉冲的波长、能量、脉宽等参量便可实现对输出电脉冲参量的有效控制，这就是PCSS的基本工作原理。4.特点：极快的响应速度(响应时间为Ps量级)，极小的触发抖动(Ps量级)；功率容量(MW量级)大；极好的同步精度(Ps量级)；耐压能力高(几十KV量级);很小的器件体积；近乎完美的光电隔离和不受电磁干扰。二、光导开关的应用1.光导开关的历史1972年Maryland大学的S.Jayaraman和C.H.Lee等人在研究光电半导体时，首次观察到了用皮秒量级的光脉冲照射光电半导体样品时，其响应时间也为皮秒量级。1975年Bell实验室的Auston等人首次使用硅光电半导体研制出用作电压脉冲开关和取样门的PCSS，并发表了皮秒激光源产生千伏纳秒电脉冲的PCSS论文。1977年C.H.Lee等人首次研制出可在1GHz重复率下工作的GaAs:CrPCSS，同时指出GaAs较si更适合用作PCSS材料1984年Nunnally等人利用GaAsPCSS产生了电压达100kv，电流达2kA，输出功率达80MW的超高功率电脉冲。至此，PCSS开始进入大功率应用时代。随后，用于PCSS的材料得到了进一步的挖掘，并先后研制出金刚石，SiC，ZnSe等性能优良的PCSS。八十年代后期，G.M.Loubriel等人在研究GaAs和InPPCSS的光电特性时，发现非线性高增益工作模式，为PCSS的小型化、实用化、集成化提供了现实的可能性。2.光导开关的应用光导开关在军事上的应用PCSS可以成为反隐形冲击雷达的重要组成部分，还可用于制作探地雷达和树叶穿透雷达的脉冲发生器，抗干扰雷达微波炸弹，多种军械的低阻抗、高电流点火装置驱动器。此外光导开关在激光核聚变系统、高精度卫星定位和跟踪系统，导弹拦截系统，电子对抗及电子战系统中也有着重要的应用2.PCSS在脉冲功率领域中的应用PCSS在脉冲功率领域中的应用是其主要的应用之一。它在脉冲功率领域的卓越表现，己受到人们广泛赞誉。曾有人这样褒之:“迄今为止尚无任何一种技术能以几十皮秒的定时精度，几十皮秒的功率上升时间，几十兆赫的重复率，几十亿次的开关寿命，几十克的开关重量传递几十兆瓦的电脉冲，唯PCSS”。3.PCSS在超快瞬态电子学领域中的应用PCSS在超快瞬态电子学中最主要的应用有:①超高速电光采样;②超快瞬态信号和无损伤检测。PCSS已逐渐被应用于超宽带通讯、医疗、工业加工、地下探测等领域。三、制作开关的主要材料自PCSS问世以来，人们就一直在探求最适合各种用途的开关材料，并进行了大量的实验及研究工作。其中研究得最为广泛的是GaAs，其次是si。1.不同用途的开关对材料的要求对于一般用途的光导开关，响应速度，开关效率一般是最基本的考虑因素。对PCSS材料的基本要求是:较短的载流子寿命，较高的载流子迁移率。对于高压高功率应用的PCSS来说，耐高压能力和电压转换效率就将成为最主要的考虑因素。对材料相应的要求也成为:较大的禁带宽度、较大的击穿电场、较高的暗态电阻率、较大的热导率、较高的载流子迁移率等。用于制作高功率电磁脉冲源的半导体材料，应该满足以下条件:能带间隔比较大、暗电阻足够高、电子迁移率比较大、载流子寿命较小、对常见激励激光波长的吸收系数高等。考虑这些因素，通常用于制作光导开关的半导体材料有Si