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目 录
1、HBM:打破AI芯片“存储墙”,Low-a球铝为重要原材料 3
2、天马新材:新增球形氧化铝、电子陶瓷粉体、勃姆石产线 8
、球形氧化铝:2007年已掌握制备技术,年产5千吨生产线已完成27% 8
、电子陶瓷粉体:2023实现营收0.7亿,主要客户三环集团业绩回暖 11
、勃姆石粉体:重要锂离子电池涂覆材料,新增产线项目进度已达33% 13
3、盈利预测与投资建议 15
4、风险提示 16
附:财务预测摘要 17
图表目录
图1:冯·诺依曼架构中存算完全分离 3
图2:算力和存力之间存在“剪刀差” 3
图3:HBM提升存储容量,并提供高带宽存储服务 3
图4:HBM将DRAM与GPU整合于同一块芯片上 3
图5:高盛预计2026年HBM市场规模将达到300亿美元 4
图6:2023年HBM市场呈现三足鼎立格局 5
图7:HBM持续更新迭代,性能逐步提升 5
图8:武汉新芯和长鑫储存等公司正在积极布局,推进HBM国产化进程 5
图9:球铝球形度好,无棱角,粒度分布更均一 8
图10:2023年球形氧化铝填料市场规模为3.98亿美元 8
图11:公司针对现有产品大幅扩产,同时开拓新产品和新应用领域 8
图12:2021年公司产能共2.9万吨(单位:吨) 10
图13:2021球形氧化铝粉末产量仅86吨 10
图14:2023年底高导热填充粉体生产基地在建工程规模已达1603万元 10
图15:公司电子陶瓷粉体用于制造半导体和电子制造领域的基片、封装材料等 11
图16:2022年电子陶瓷全球市场已达1860亿元,中国市场规模达998亿元 11
图17:2023年电子陶瓷用粉体实现营收7301万元 12
图18:电子陶瓷用粉体是公司第一大业务 12
图19:2023年底电子陶瓷粉体生产线工程进度已完成68% 12
图20:电子陶瓷粉体核心客户三环集团迎来收入、利润同环比稳步回升 13
图21:公司氧化铝粉体及勃姆石产品可用于隔膜涂覆材料,面向各类电池应用 13
图22:2023年底勃姆石粉体项目生产线项目进度已完成33% 15
图23:中材科技连续四年实现营业收入同比增长 15
图24:2019-2022中材科技、恩捷股份保持归母净利增长 15
表1:NIVDA和AMD多款AI服务器中搭载了HBM 4
表2:环氧塑封料、环氧树脂、Low-a球铝/球硅、底部填充胶、封装基板是HBM封装所需重要原材料 6
表4:公司提供QW和SW两个系列的球形氧化铝产品,在SiO2、Na2O、LOI、水分等指标上存在一定差异 9
表7:可比公司PE(2024E)一致预期均值32.2X 16
1、HBM:打破AI芯片“存储墙”,Low-a球铝为重要原材料
AI服务器的性能与算力和存力密切相关。在冯·诺依曼的架构中,处理器决定算力,存储器决定存力,两者完全分离。在过去计算行业的发展历史中,算力一致
按照摩尔定律的节奏推进,而存储器的带宽提升速度明显滞后于算力的提升,导致存算性能失配。两者之间的数据交换通路狭窄,出现时延长、功耗高等诸多问题,
构建起“存储墙”,阻碍了AI服务器综合算力的提升。
图1:冯·诺依曼架构中存算完全分离 图2:算力和存力之间存在“剪刀差”
资料来源:中国科学院半导体研究所公众号 资料来源:中国移动通信有限公司研究院《存算一体白皮书
(2022)》
存算一体是一种打破“存储墙”的技术手段。根据存储和计算距离的远近,广义的存算一体技术可分为近存计算(ProcessingNearMemory,PNM)、存内处理
(ProcessingInMemory,PIM)和存内计算(ComputinginMemory,CIM)。其中近存计算通过芯片封装、板卡组装等方式,将存储单元和计算单元集成,增加访存带宽、减少数据搬移,提升整体计算效率。高带宽内存(HighBandwidthMemory,HBM)
通过将多层DRAM芯片垂直堆叠,并使用高带宽的串行接口与GPU或CPU直接相
连,提供了远超传统DRAM的带宽和容量,是一种典型的近存计算解决方案。
图3:HBM提升存储容量,并提供高带宽存储服务 图4:HBM将DRAM与GPU整合于同一块芯片上
资料来源:中国移动通信有限公司研究院《存算一体白皮书
(2022)》、研究所
资料来源:半导体产业纵横公众号
近年来,随着
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