材料物理性能分析.doc

研究生课程（论文类）试卷

2016/2017学年第1学期

课程名称：材料物理性能

课程代码：

论文题目：PbZrO3纳米线的纳米级性能：

增强能量转换和存储的相位竞争

专业﹑学号：机电功能材料162382308

学院：材料科学与工程学院

课程（论文）成绩：

课程（论文）评分依据（必填）：

运用本门课程所学的知识，结合自己的专业背景和科研方向，选一种具体的材料或复合材料实证分析其物理性能（热学性能、电学性能、磁学性能或光学性能）的特点、原理及应用前景。

要求所提出的观点具有一定的创新价值。

不少于3000字。

任课教师签字：

日期：年月日

课程（论文）题目：PbZrO3

内容：1.介绍

能源供应的不断增长的需求推动了对清洁生成的和可再生能源的追求。目前，电能需求增长速度是整体能源使用量的两倍，预计到2035年将增长三分之二以上。例如，2012年42％的一次能源转化为电。这反过来驱动对用于有效存储，吸收，供应和转换电力的装置的需求。这些装置需要高能量存储密度，高功率密度，高能量效率和转换特性。对功能材料的需求对于小型化和可集成的电子和电气系统更加迫切。在散装材料中，反铁电体由于其潜在的能量存储和转换而受到极大的关注，这源于大的饱和极化，小的残余极化和优异的机电特性。例如，优化的(Pb0.97La0.02)(Zr

虽然反铁电在能量应用的材料领域已经成为强竞争者，但是它们作为小型化装置使用的前景仍然在很大程度上是未知的，迄今为止的大多数研究集中在薄膜的几何形状。已有报道反铁电膜具有在7-37Jcm

2.计算方法

（反）铁电体的有效哈米尔顿模型的最新发展已经使得各种纳米尺度（反）极性材料的模拟成为可能。我们在应用电场和宽范围温度下对电纳米线进行了这样的研究，目的是解决上述问题。沿着[001]假立方方向生长的具有4.1至8.3nm的横向尺寸d的无应力PbZrO3纳米线沿纳米线轴周期性的NxNx20超晶胞模拟，超细胞的能量由PbZrO3的第一原理有效哈密顿量给出。哈密??尔顿算子的自由度包括与单位晶胞中的偶极矩成比例的局部模式，描述氧八面体旋转的氧化铝八面体绕拟赝立轴倾斜，以及应变变量张量，其负责单元电池的机械变形。注意，这里的单位晶胞是指立方钙钛矿的五原子晶胞。PbZrO3

为了模拟不同的电边界条件，我们应用与纳米结构中的平均去极化场相反的均匀电场。超细胞中的平均去极化场可以从Ref的原子方法计算，或来自连续模型近似的平均去极化场。考虑本研究中的纳米结构尺寸，两种方法给出非常相似的结果，由于其计算效率，我们大多使用连续模型近似。补偿电荷的量由表面电荷补偿的百分比β控制。例如，β=92％对应于当自由载流子可以补偿由于极化造成的高达92％的表面电荷的情况。参数β与电极的有限屏蔽长度λ和纳米线的横向尺寸d相关，关系如下：β=(1+2λ)-1。然而，表面电荷补偿不一定需要电极。实例包括由于分子吸附物，电荷载流子，固有表面态，氧或其它离子空位等引起的表面电荷补偿。在这些情况下，筛选参数可以与自由载流子的浓度n相关。类似的计算方法以前用于模拟铁电纳米结构中的不同电边界条件。哈密??顿量给出的能量用于规范的蒙特卡罗模拟。通常在单次运行中模拟40,000次蒙特卡罗扫描。为了获得平衡相，使用模拟退火技术将所有纳米结构从1500K退火至5K。

3.结果与讨论

我们首先考虑当自由电荷可以屏蔽高达92％的极化表面电荷时的情况，这对应于局部表面电荷补偿的现实情况。图1示出了对于具有不同横向尺寸的纳米线，极化的室温对电场的依赖性。通过施加垂直于纳米线轴（在我们的情况下为[100]假立方体方向）的电场获得P（E）环，其模拟用于测量纳米线中的电和压电响应的实验装置。最引人注目的特征是从AFE到低于临界厚度7.4nm的FE行为的转变。这种转变类似于PbZrO3超薄膜中发现的转变，并且可以通过最近提出的表面效应来解释。表面消除了PbZrO

图.1

（β=92％，体积为（d）），极化对不同横向尺寸（a）-（c）的纳米线

图.2

（a）对于不同横向尺寸的纳米线，极化对电场的依赖性;（b）报告的相对于体积的电容率为d的函数;（c）可恢复能量密度和效率;（d）作为纳米线横向尺寸的函数。

图2（a）示出了d为5.0nm和8.3nm的纳米线的室温P（E）环。注意，对于本文的其余部分，我们报告在整个β范围内的平均数据。我们注意到，较薄的纳米线表现出FE行为，而较厚的纳米线响应于类似于有损耗电介质的电场。有趣的是，我们的较厚的纳米线的计算数据非常类似于2