IGBT模块动态雪崩测试研究.pdfVIP

机车电传动

第5期No.5

2023年9月ElectricDrivocomotivesSep.2023

DOI:10.13890/j.issn.1000-128X.2023.05.015文章编号：1000-128X(2023)05-0139-06

IGBT模块动态雪崩测试研究

余伟12，郑宇12，袁涛12，任亚东12

412001;

（1.株洲中车时代半导体有限公司，湖南株洲

2.功率半导体与集成技术全国重点实验室，湖南株洲412001)

摘要：在IGBT关断过程中，当芯片内部产生巨大的电场时会发生动态雪崩现象。文章通过设计试验

方案并加以验证，探究了不同试验变量对IGBT动态雪崩以及雪崩耐量的影响。结果表明，电流和电感会对

模块动态雪崩产生极大的影响，栅极电阻能够延缓模块内部动态雪崩的发生并提升模块雪崩耐量，母线电压

也会对模块雪崩耐量的提升产生巨大影响，常温和高温下模块的雪崩耐量差距大。

关键词：IGBT模块；动态雪崩；电流；电感；栅极电阻；电压；温度

中图分类号：TN325.2文献标识码：A

AstudyondynamicavalanchetestofIGBTmodule

1,2

YUWei2,ZHENGYu-,YUANTao,RENYadong

(1.ZhuzhouCRRCTimesSemiconductorCo.,Ltd.,Zhuzhou,Hunan412001,China;

2.StateKeyLaboratoryofPowerSemiconductorandIntegrationTechnology,Zhuzhou,Hunan412001,China)

Abstract:Duringtheturn-offofIGBTmodules,dynamicavalanchewilloccurwhenalargeelectricfieldisgeneratedinsidethe

chip.Inthispaper,anexperimentalschemewasdesignedandverifiedtoanalyzetheeffectofdifferentfactorsondynamicavalancheand

theavalanchetoleranceofIGBTmodule.Theresultsshowthatcurrentandinductancehaveagreateffectonthedynamicavalancheof

themodule.Gateresistancecandelaytheoccurrenceofdynamicavalancheinsidethemoduleandimprovetheavalancheresistanceof

themodule.Busvoltagealsohasahugeeffectontheimprovementofmoduleavalancheresistance.Thereisalargedifferenceinava-

lancheresistanceofthemodulebetweennormaltempe