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第九章PHOTO工序

9.1PHOTO工序的目的

HOTO的基本概念

什么是PHOTO?若是从一个液晶厂内部部门来说，PHOTO指的是黄光部。但是从工艺来

说，在半导体和液晶产业，PHOTO指光刻技术。当然，这两个概念是有实质联系的，因为

在液晶厂内负责光刻方面工作的就是黄光部。

HOTO工序的目的

PHOTO工序的目的是把膜层电路结构复制到以后要蚀刻的玻璃基板上。主要过程依次

如下面图（一），图（二）和图（三）所示。

图（一）图（二）

图（三）

PHOTO工序主要包含三大步骤，即上图所示的光阻涂布（PRcoating）;曝光

（Exposure）;和显影（Develop）.

光阻涂布（如图一），就是在plate（玻璃基板）上涂布光阻。光阻是一种对特定波长

的UV光敏感的有机材质，遇到一定强度的UV光就会发生化学反应，所以PHOTO工序要在

黄光下进行。因为黄光波长大，光子能量低，强度比较弱（不会引起光阻化学反应）并且

照明效果不错的光。

光阻涂布制程主要控制光阻的膜厚及其均一性。

曝光（Exposure）是PHOTO的关键，也是ARRAY的关键。之前说了PHOTO是把膜层电

路结构复制到以后要蚀刻的玻璃基板上。临时电路结构就设计在MASK（光罩）上，光罩上

有电路结构区域不透光，没有电路结构区域可以透光。这样就使上一步骤涂布的光阻经过

曝光工序之后，电路结构就从光罩转移到光阻上。

曝光（Exposure）制程的主要参数是CD（线宽）,Totalpitch,Overlay。

Develop即显影。经过Exposure之后在玻璃基板上喷洒显影液，因为显影液为碱性，

对正性光阻而言，被紫外光照射过的光阻可以溶解在碱性显影液中，而未紫外光照射到的

部分不溶于显影液。因此，显影之后，在玻璃基板上，只剩下电路部分有光阻，而其它区

域无光阻（注：本节所指光阻为正光阻，一般TFT段都使用正光阻）。

显影液浓度的控制是显影工艺的关键，浓度的高低会影响到线宽。

显影后送去蚀刻，这样有光阻保护部分（即需要的电路部分）的膜不会被蚀刻掉，而

没有光阻保护部分的膜就被蚀刻掉。这样即形成所需要的电路的。

当然，PHOTO除了上面所述的光阻涂布，曝光和显影之外，还有其它几方面工序组成，

如基板进入Photo制程后首先需要清洗（Cleaner）,如分布在各个环节的烘烤（Bake）.

下面简述一下PHOTO工序中的清洗和各个烘烤。在第一层需要刻号（Titler）等。

Cleaner即清洗工艺，目的为了在Coater之前基板表面达到洁净，主要通过E-UV照

射分解玻璃基板上的有机物（如下图四所示），然后通过AA-jet,brush等清洁方式将基

板表面的各种particle去除,最后用Airknife（图五）将基板表面水分去除。

图四图五

在清洗之后设置Dehydrationbake,主要目的是通过高温将基板表面水分去除。

在光阻涂布之后会设置低压干燥（Lowpressuredry也有称为VacuumDry).目的是

为了去除光阻的溶剂（大约70%），使基板上的光阻迅速固定，同时若此时用高温的方式来

蒸发溶剂的话，极易引起火山状Mura.

在低压干燥之后，设置Pre-bake进一步去除光阻的溶剂（剩余30%）。

同样，在显影之后也要设置Bake单元，即所谓的PostBake.目的是去除水分，加强

光阻和基板之间的作用力。

需要特别强调的一点是，所有的烘烤单元后都跟有对应