电子束光刻系统参数要求.pdfVIP

电子束光刻系统参数要求

采购预1300万，具体参数要求如

一、工作条件

1.AC230V10%50Hz

电源电压：，三相

2.环境温度：15-25℃，电子枪区域21+/-0.25℃

3.相对湿度：40-70%

、设备配置

高斯束电子束曝光系统

1.电子束曝光系统主机

2.50KeV/100KeV8000-12000

热场发射电子枪可切换，电子枪寿命不低于小时

3.210mm*210mm

运动范围激光干涉样品台

4.激光干涉仪精度0.15nm

5.自动动态对焦，像散矫正，写场畸变矫正系统

6.自动激光高度测量

7.125MHz

升级图形发生器

8.1mm

升级大写场

9.2工位真空仓自动进样系统

10.预对准显微镜系统

11.预装L