ZnO-Ni壳核丝状阴极场发射特性研究.docx

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ZnO-Ni壳核丝状阴极场发射特性研究

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许亚红，郭太良

（福州大学物理与信息工程学院光电显示技术研究所，福州350002）

摘要：采用水热法在Ni丝上制备锥状Zn0，形成ZnO-Ni壳核丝状阴极。采用x射线衍射分析仪进行物相分析，表明该Zn0具有沿002面生长的取向。用扫描电子显微镜(SEM)观察其表面形貌，表明Ni的表面生长有一层分布均匀的锥状Zn0。通过场发射性能测试，结果表明ZnO-Ni壳核丝状阴极具有比平面结构中的Zn0纳米锥阴极更优良的场发射性能，并对该结果进行讨论。

关键词：水热法；氧化锌；丝状阴极；场发射

TP104：A

引言

氧化锌是一种重要的宽禁带半导体功能材料，在室温下带隙宽度为3.3eV，激子束缚能高达60meV，并且具有负电子亲和势，良好的稳定性和高的机械强度等，被认为是最有前途的场发射阴极材料之一。由于氧化锌具有丰富的表面形貌，其所表现出来的物理性质也大不相同。Zn0纳米材料制备方法主要包括金属有机化学气相沉积(MOCVD)131、脉冲激光沉积(PLD)、水热合成法和物理热蒸发等，所生成的纳米氧化锌形貌包括纳米线、纳米棒、纳米带、纳米锥、纳米环以及纳米梳等。一维氧化锌纳米结构作为可以替代碳纳米管（CNT）的阴极材料在场致发射显示器（FED）领域具有较好的应用前景。

水热生长金属氧化物尤其是氧化锌）纳米结构由L．Vayssieres、Lee等人比较系统研究，由于该方法具有生长温度低，工艺简单等优点而备受关注。目前，水热法生长Zn0研究比较热门的主要是在不同衬底上及做种子层（材料为Zn0）生长Zn0纳米棒阵列；该阵列具有高度取向，在光学、电学、化学、生物工程等领域有很大的应用前景。本文采用水热法在没有种子层的Ni丝上生长锥状Zn0，采用XRD、SEM对纳米材料的形貌和物相特性进行表征。在场发射测试系统测试场发射性能，并与平面结构的Zn0纳米锥阴极比较，得出ZnO-Ni丝状阴极具有更优良的场发射特性。

2实验

2.1实验过程

(1)取一定长度，直径为300um的Ni丝在丙酮和纯水中各超声清洗30min。

(2)用电子天平称取硝酸锌和六次甲基四胺各O.１g，溶于60mL纯水中，搅拌至完全溶解。

(3)将配置好的溶液放入反应釜中，再将Ni丝放入，使其悬浮在溶液中。

(4)将反应釜放置在烘箱中，lOOoC保温6h。待反应结束取出Ni丝并在马弗炉中1500C烘干后，可以看到Ni丝表面有一层薄薄的白色物质。

2.2样品表征及测试

利用BrukerD8-advanceX射线衍射仪进行Zn0的物相分析：用扫描电子显微镜(HITACHIS-3000N)SEM对得到的产物进行微观形貌的观察；在真空腔体中测试其场发射性能，测试系统真空度为5.0×１0-5Pa。

3结果与讨论

3.1X射线衍射分析

收集Ni丝表面的白色物质，做相应的X射线衍射物相分析。XRD物相分析在BrukerD8-advanceX-射线衍射仪上进行（Cu靶Kaλ=1.54178A），扫描速度为0.020，s。XRD衍射图如图1所示。

从该XRD图中可以得出Zn0属于六方相Zn0结构，在002)晶面处出现最强峰，没有出现其它的杂质峰，说明了采用水热法在Ni丝上制备的氧化锌纳米锥具有沿C轴择优取向。

3.2扫描电子显微镜分析

图2所示为Zn0-Ni壳核丝状阴极在SEM下观察得到的表面形貌图，从图（Za）上可以看到，圆柱型Ni丝表面有一层相对比较均匀Zn0材料，形成ZnO-Ni壳核丝状阴极。从图（Zb）上可以看到，表面Zn0材料为锥状，长度3－6um，根部较粗，顶部较细，顶部尖端直径为0－200nm；其在Ni[来自wwW.lw5u.cOm]的表面上形成无数个的场发射尖端。这种采用水热法将Zn0材料直接生长在基底上，并通过适当温度的退火，可以使材料和基底的附着力进一步提高，保证氧化锌和镍丝的良好接触，为其在场致电子发射中输运持续稳定的电子。

3.3场发射性能分析

3.3.1丝状阴极场致电子发射理论模型

场致电子发射，又称为冷阴极电子发射，是指在导体或者半导体表面施加强电场，使其表面势垒高度降低，宽度变窄，致使物体内部的电子不需要激发就能穿透势垒而发射到真空中l14~151。对于Zn0-Ni壳核丝状阴极，其核心为金属Ni丝，外壳为Zn0纳米锥。在强电场的作用下，导体Ni丝的发射满足场发射Fowler-Nordherm方程，但其实际所能达到发射的电场强度很大，远远大于实际值。在其上生长半导体材料Zn0纳米锥，在金属表面形成尖端，这有利于提高其表面半导体的电场强度，降低测试所需要的实际电压。

3.3.2场发射测试

图3中为曲线1为平面结构的Zn0阴极和曲线2