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光电检测技术

绪论

第1节光电技术

一、概述

a)主要研究光与电之间的转换

b)接收器件/发射器件/光电探测器件

二、光电技术的发展

a)半导体集成电路

b)光纤传感器和光波导

第2节光电技术的特点及应用

一、光电系统

a)光电能量系统、光电信息系统

b)光电系统的主要类型

（1）光-电型（应用最广泛）

（2）光-电-光型

（3）电-光-电型

（4）光电混合型

（5）电光混合型

c)光电系统基本模型

i.光电系统通常分为主动式和被动式两类。

ii.光接收机可以分为两种基本类型，即功率探测接收机和外差接收机。

二、光电检测

所谓光电检测，指的是对光信号的调制变换和接收解调两个主要方面。光电

检测系统中信息必须经过两个基本的变换环节，调制与解调。

光电检测系统分类

（1）测量检查型

（2）控制跟踪型

（3）图像分析型

三、光电器件

凡能探测某种电磁辐射（自射线到红外线）的各种电子器件，都应归入光电

探测器件。主要是固体的光电效应，就是固体中决定其电学性质的电子系统直接

吸收入射光能，使固体的电学性质发生改变的现象。例如：光电子发射效应、光

电导效应、光生伏特效应等。

1、光电器件具有选择性的吸收

2、光电器件器件通常具有灵敏度高，惰性小，响应速度快

四、光电技术的应用和发展

(1)有广泛的适用范围

(2)有较高的信号检测能力

(3)有较强的信息运算能力

第一章光电器件的物理基础

1-1光的概念与度量学中的参量

一、电磁波谱与光子能量公式

二、辐射量与光度量

三、辐射量与光度量的换算

1、光谱量与积分量

2、光谱光视效能K(λ)与光谱光视效率V(λ)

四、朗伯余弦定律

1-2半导体基础知识

一、半导体的能带理论

1、原子能级与晶体能带

2、本征半导体（I型）

3、杂质半导体

二、热平衡状态下的载流子

三、光辐射与半导体的相互作用

1、本征吸收

2、非本征吸收(杂质吸收、自由载流子吸收、激子吸收和晶格吸收)

四、非平衡状态下的载流子

1、产生与复合

2、复合与非平衡载流子寿命τ

五、载流子的输运

1-3光电转换的物理基础－光电效应

一、光电效应

辐射→电子运动状态发生变化→光电导效应、光生伏特效应、光电子发射

二、光电效应分类

a)外光电效应

b)内光电效应(光电导效应、光生伏特效应、丹倍效应和光磁电效应)

三、光电效应的物理现象

（一）光电导效应

a)光电导率

b)本征半导体的光电导效应

c)杂质半导体的光电导效应

d)光电导体的灵敏度

e)光电导的弛豫

f)光电导的光谱分布

（二）光生伏特效应

⒈PN结的光生伏特效应

⒉异质结的光生伏特效应

⒊肖特基结的光生伏特效应

4、丹倍效应

5、光磁电效应

（三）光电发射效应

1、光电发射原理

2、光电发射的基本定律

3、光电发射长波限

上述探测器件所依据的物理效应的共同特性是

（1）光电效应的有、无只与入射光的波长、频率有关，与入射光的强度无关；

—光电效应的产生，唯一的取决于入射光的波长、频率以及器件的能级结构

（2）光电效应的强弱既与入射光的强度有关，也与入射光的波长、频率有关。

—入射光的强弱反映入射光子数的多少；入射光的波长、频率不同，器件对其

的响应度不同。

1-4光电器件的分类

第二章光电探测器件