100LM-W照明用LED大功率芯片的产业化研究.docx

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100LM/W照明用LED大功率芯片的产业化研究

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摘要：本研究基于蓝宝石图形衬底(PSS)制备GaN基40mil功率型LED芯片，结合版图的优化，改善了电流扩展效应，系统研究了LED器件的光电性能。制备的LED外延片波长集中在6nm范围内，半峰宽接近20nm,LED功率型芯片使用优化的版图设计，在O.01mA下有良好的点亮效果，没有暗区，器件在350m_A下发光效率达104Im/W，并能够满足3W的应用市场，此外，器件具有良好的可靠性和稳定性,350mA和700mA下老化1，OOOhr光衰分别为-0.4%和2.8%，并成功解决了产业化的关键技术。

关键词：蓝宝石图形化衬底；发光二极管；发光效率

TN312+．8

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引言

自GaN基第三代半导体材料的兴起，蓝色发光二极管(LED)的研制成功，发光强度和白光发光效率的不断提高，LED已经被公认为最有可能进入通用照明领域的新型固态冷光源，因而在近年来成为全球关注的焦点。

随着LED白光发光效率的提升，LED的主要应用逐渐从电器指示、彩屏显示向LCD背光以及半导体照明领域发展。在LED需求量上，LED显示屏仅次于LED指示灯名列第二，占到LED整体销量的23.1%。而由于LED在低能耗、超薄结构设计、高色彩饱和度、区域控制等方面的优越特性，使其成为背光源的不二选择，当前小尺寸背光源市场已经逐步放缓，而中大尺寸则成为新的关注点。后者使大功率LED背光源和照明以每年38%的增长速度向前发展，具有广泛的市场前景。

显示用LED芯片为标准尺寸芯片，对芯片的波长、电压、亮度等参数的均一性、抗静电能力、波长稳定性等有较高的要求，而背光以及照明领域对LED芯片的发光效率和可靠性则有着很高的要求，其尺寸规格更大，也由此而容易导致器件光效降低、热损耗增加、可靠性降低等问题。为解决这些问题，研究人员通过蓝宝石图形化衬底(PSS)技术【1、2】、透明接触层【3】、倒金字塔结构【4】、倒装芯片旧、垂直结构旧、表面粗化【7】、布拉格反射层(DBR)结构【5】、光子晶体【9】等技术手段，从材料、外延层结构、芯片表面、侧面以及背面形态等多种途径着力提高芯片的光提取效率，取得了巨大的成就。

目前科锐(Cree)基于SiC衬底几何增强和倒置电极结构的照明用LED芯片产业化水平达90-132ImW；Lumiled则通过倒装结构使芯片从蓝宝石衬底面出光，大大增强了光的提取效率，目前也达到90—120ImW；而晶元光电通过外延表面粗糙化处理，也使大功率芯片的光效达到70—110Im／W；武汉迪源光电科技有限公司基于蓝宝石图形化衬底，通过外延生长、芯片制程等工艺改进制造的高亮度LED芯片，其发光效率产业化水平达到104Im／W，在发光效率上均已超过照明市场所需要的70Im／W的最低光效。本文将研究基于PSS生长LED外延结构，并对芯片的版图进行合理优化，提高其电流扩展效应，系统地研究了芯片的光电性能。1实验

蓝宝石图形化衬底制备：用金属掩膜版将周期性图形转移到蓝宝石衬底上，再用ICP干法刻蚀蓝宝石衬底，在衬底上形成周期性结构。

外延生长：采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)系统，在1，OOO度左右H2氛围下将衬底烘烤约10分钟，除去表面杂质及水汽，然后在蓝宝石图形化衬底上依次生长25nmGaN形核层、2.5ｕm非掺杂GaN层、2.5umSi掺杂n-GaN层、200nmInGaN/GaN多量子阱(MQW)有源层结构以及250nmMg掺杂p-GaN层。MOW结构由六个周期逐层生长，每个周期由2nm的In0.22Ga0.78N与lOnm厚的GaN层组成，生长的外延结构图如图1所示。

LED芯片制程：电子束蒸镀300nm的ITO薄膜作为p型接触层，通过感应耦合等离子系统(ICP)刻蚀到n型GaN，然后蒸镀1Um的Au电极，并采用等离子增强化学[来自wWW.]气相沉积法(PECVD)沉积Si02钝化层，最后在蓝宝石衬底的背面蒸镀反射膜。通过光刻、刻蚀、蒸镀、沉积、热处理、清洗、划片、磨片、测试、分选等多次工序后，得到40mil规格功率型LED芯片成品，并对芯片进行封装测试。LED芯片结构如图2所示。

测试：通过扫面电子显微镜观察PSS形貌，采用光致发光(PL)系统测试外延片的半缝宽、波长均匀性，采用FitTechIPT6000整合型LED晶粒点测机、杭州远方LED300型光色电综合测量系统，测试LED芯片的正向压降(Vf)、光功率(P)、波长(λ)、封装成品光通量（φ）、抗静电性能(ESD)、老化曲线等光电参数。

2结果与讨论

通过扫描电子显微镜(SEM)图形对ICP干法刻蚀的PSS进行测试，得到如图