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锰掺杂锑化镓晶体的性质研究
锑化镓（GaSb）是一种重要的半导体材料，因其在红外光谱、光电
探测器和高速电子器件领域有广泛应用。锰掺杂锑化镓（Mn:GaSb）则
在磁阻式传感器、磁电传感器和高速磁电输运器件等磁电耦合领域有重
要应用。本文将讨论Mn:GaSb晶体的制备和性质研究。
制备方法
Mn:GaSb晶体制备可采用气相外延法（VPE）和分子束外延法
（MBE）等技术。其中VPE法是一种比较常用的制备方法，其步骤包括：
先用化学气相输运法（CVD）在GaSb衬底表面沉积一层近稳定的细晶
GaSb薄膜；然后在VPE反应体系中加入Mn掺杂剂源（如MnCl2），在
高温（700–800℃）下进行晶体生长。另外，还可采用MBE法，通过调
节衬底温度、Ga、Sb、Mn分子束流强度和束源距离等参数来控制
Mn:GaSb晶体组分和微观结构。
性质研究
1.结构与成分
Mn:GaSb晶体的结构为锌切面结构，空间组对称性为F-43m，晶胞
参数为a=b=6.095Å，c=6.096Å。研究发现，Mn原子可以取代Ga原子
占据GaSb中的空位，使晶体中出现Mn-Ga互换杂化结构。在不同Mn
掺杂条件下，Mn:GaSb晶体的组分和晶体结构都有所变化，这直接影响
其磁性和电性能。
2.磁性
Mn:GaSb晶体是一种II-VI族半导体材料，它可以表现出较强的铁
磁性。磁性机制主要与更高的Mn电离能和胡伯能带中的局域态Mnd电
子有关。研究发现，在低掺杂浓度下，Mn:GaSb晶体呈现出自旋极化的
反铁磁交换作用，目前对该机制仍存在争议。在高浓度Mn掺杂下，则表
现出由Fermi液体到超过爱因斯坦自旋玻色凝聚体的转变。
3.电性质
Mn:GaSb晶体的电性质主要受到掺杂浓度、温度和施加电压等条件
的影响。研究发现，Mn掺杂可使GaSb的导电性降低，电子迁移率减小。
当Mn掺杂浓度较低时，Mn:GaSb晶体为p型半导体，由空穴控制导电
性能；当Mn掺杂浓度较高时，晶体呈现出n型半导体性质，由电子控制
导电性能。
总结
Mn:GaSb晶体的制备和性质研究对于发展磁电耦合器件、高能效光
电探测器等新型器件具有重要意义。随着磁电材料各领域研究不断深入，
Mn:GaSb晶体的性质研究也将会得到更深入的探索。
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