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《半导体集成电路》试题库--第1页

一、填空题（30分=1分*30）10题/章

晶圆制备

1．用来做芯片的高纯硅被称为（半导体级硅），英文简称

（GSG），有时也被称为（电子级硅）。

2．单晶硅生长常用（CZ法）和（区熔法）两种生长方式，生长

后的单晶硅被称为（硅锭）。

3．晶圆的英文是（wafer），其常用的材料是（硅）和

（锗）。

4．晶圆制备的九个工艺步骤分别是（单晶生长）、整型、（切

片）、磨片倒角、刻蚀、（抛光）、清洗、检查和包装。

5．从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是

（100）、（110）和（111）。

6．CZ直拉法生长单晶硅是把（融化了的半导体级硅液体）变为

（有正确晶向的）并且（被掺杂成p型或n型）的固体硅锭。

7．CZ直拉法的目的是（实现均匀掺杂的同时并且复制仔晶的结构，得

到合适的硅锭直径并且限制杂质引入到硅中）。影响CZ直拉法的两个主要参数

是（拉伸速率）和（晶体旋转速率）。

8．晶圆制备中的整型处理包括（去掉两端）、（径向研磨）和（硅

片定位边和定位槽）。

9．制备半导体级硅的过程：1（制备工业硅）；2（生长硅单

晶）；3（提纯）。

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氧化

10．二氧化硅按结构可分为（结晶型）和（非结晶型）或

（不定型）。

11．热氧化工艺的基本设备有三种：（卧式炉）、（立式炉）和

（快速热处理炉）。

12．根据氧化剂的不同，热氧化可分为（干氧氧化）、（湿氧氧

化）和（水汽氧化）。

13．用于热工艺的立式炉的主要控制系统分为五部分：（工艺腔）、

（硅片传输系统）、气体分配系统、尾气系统和（温控系统）。

14．选择性氧化常见的有（局部氧化）和（浅槽隔离），其英

语缩略语分别为LOCOS和（STI）。

15．列出热氧化物在硅片制造的4种用途：（掺杂阻挡）、（表面钝

化）、场氧化层和（金属层间介质）。

16．可在高温设备中进行的五种工艺分别是（氧化）、（扩散）、

（）、退火和合金。

17．硅片上的氧化物主要通过（热生长）和（淀积