基于SiC器件车载双向全桥CLLC谐振变换器设计及其控制方法研究.docx

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基于SiC器件车载双向全桥CLLC谐振变换器设计及其控制方法研究

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王涛罗文广

摘?要：针对传统的控制策略动态性能不足，电压达到稳态值较慢，受到负载切换扰动较大及SiCmosfet反向导通压降较大等缺点，提出了一种对CLLC谐振变换器的自抗扰控制策略，在无需对CLLC谐振变换器精确建模的情况下，建立扩张状态观测器和设计PD控制器，将副边设计为有源整流桥，以提升动态响应性能，降低超调量，减小超调时间，减少谐波含量，在不增加额外器件的情况下减小损耗，进一步提升变换器的功率密度，降低了二极管压降对于整流电压的不利影响，对输出电压进行参数优化.设计了一个输入为350V，输出为300V，功率3kW的双向全桥CLLC谐振变换器，以罗姆公司sct3060al-eSiCmosfet的数据为例，运用该方法通过simulink对变换器进行正向、反向仿真验证.结果表明，与传统控制策略对比仿真，其超调量从3.3%降低至1.6%，且超调时间更短，系统谐波含量更少.验证了对于CLLC谐振变换器采用自抗扰控制相比于传统控制策略具有超调量小、调节时间短、输出电能质量好的优点.

关键词：CLLC谐振变换器;自抗扰控制;SiC器件;软开关

：TM46DOI：10.16375/j.cnki.cn45-1395/t.2021.02.006

0引言

随着科技的发展，在电力电子领域，对功率变换器的功率密度、转换效率、动态性能等要求不断提高[1-3].目前将新兴的宽禁带半导体材料应用于功率变换器成为热点话题.宽禁带半导体材料优越的特性为电力电子技术发展带来了新的提升.相较于硅材料，碳化硅材料具有更高的电子饱和速度、更低的功率器件功率损耗，且碳化硅材料的单位面积载流能力强，故器件的功率密度得以提高[4-5].文献[6]对半桥LLC拓扑选用碳化硅器件进行参数设计，实现了软开关，为SiC器件在LLC變换器应用中提供了理论分析.但其设计的开关谐振频率为40kHz，对于SiCmosfet来说设计较为保守.文献[7]将SiC器件应用于混合动力汽车和电动汽车上，大幅降低油耗，扩大驾驶舱空间.文献[8]提出一种SiC三相逆变器热设计方法，分析了散热器热阻值几何结构、特性参数的关系，并验证该热设计方法的合理性与正确性，但没有考虑到SiCmosfet的压降问题.

文献[9-11]介绍了软开关的原理，将软开关与传统的硬开关作对比设计，突出了软开关能够降低开关损耗，提升转换效率的特点.但文中的控制方式为开环控制，无自动纠偏能力.文献[12-13]引入高频软开关技术，可在宽泛的输入电压范围内可靠工作，电源开关以半桥的形式连接，但该拓扑结构电压应力较大，不适用于电压等级较高的场合.文献[14]中相较于半桥功率变换器，全桥功率变换器开关管应力仅为其一半，因此，能实现较大功率的变换.其中双向CLLC全桥谐振变换器相较于普通LLC谐振变换器，实现双向隔直，避免因电压方波不对称导致变压器偏磁饱和的问题，但其采用的传统PI控制策略，当负载切换扰动较大时，其响应速度比较慢、波动较大.

对于车载双向DC/DC变换器而言，当汽车行驶工况改变时，变换器负载存在突变的情况，母线电压出现较大波动.因此，车用双向DC/DC变换器除了安全、可靠等常规要求外，还要求具备更高的动态响应性能.基于上述问题，本文针对CLLC谐振变换器设计了自抗扰控制策略，通过仿真对比传统控制策略验证了该控制策略的有效性，并针对CLLC变换器特点和SiCmosfet反向导通压降较大的特性，将副边设计为有源整流桥，在不增加额外器件的情况下减小损耗，进一步提升变换器的功率密度.

1基于SiC器件的车载双向全桥

CLLC谐振变换器设计

1.1??拓扑结构

双向全桥CLLC谐振变换器的拓扑结构如图1所示，包含充电模式和放电模式.双向CLLC谐振变换器由两个全桥电路和谐振网络组成，其中S1—S4和S5—S8构成两个全桥电路，[Lr1]、[Lr2]、[Lm]、[Cr1]与[Cr2]构成谐振网络，且[Cr1]和[Cr2]起隔直作用，变压器起电气隔离作用.充电模式时，S1、S4与S2、S3加占空比不超过50%的互补的驱动信号，S5—S8充当二极管进行整流;放电模式时，S5、S8与S6、S7加占空比不超过50%的互补的驱动信号，S1—S4进行整流.

3仿真及分析

根据前面的分析设计，对系统正向和反向运行进行仿真.开关管采用罗姆公司sct3060al-eSiCmosfet的具体参数进行仿真，通态电阻为0.6Ω，寄生二极管压降为3.2V.分别对变换器在正向和反向运行时不同工作情况下进行仿真.正向仿真波形如图8—图11所示.图8中，原边开关管的漏源极电压下降为0时，开关管才开始导通，满足ZVS开通.图9中，变换