半导体中杂质和缺陷能级-(与“杂质”相关文档)共87张课件.ppt

半导体中杂质和缺陷能级;杂质：与组成半导体材料元素不同的其它化学元素。如硅中掺磷、掺硼等

掺杂后的半导体称为杂质半导体。掺杂后就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。

杂质来源：a有意掺入b污染;缺陷

实际半导体晶格结构不是完整无缺的，存在各种形式的缺陷。

缺陷可分为三类：

（１）点缺陷（空位、间隙原子等）；

（２）线缺陷（位错等）；

（３）面缺陷（层错、多晶体中的晶粒

间界等）．

;引入杂质和缺陷的意义

半导体材料独特的性质，取决于杂质影响．极微量的杂质和缺陷，能够对半导体材料的理化性质产生决定性的影响（半导体器件的质量）．

可通过适当掺杂制造形形色色的器件;半导体中的杂质和缺陷起什么样作用？

为什么会起这样的作用？

;杂质和缺陷的存在，所产生的附加势场使严格的周期性势场受到破坏，可能在禁带中引入允许电子具有的能量状态(即能级)．

;如图所示为一晶格常数为a的Si晶胞，求：（a）Si原子半径

（b）晶胞中所有Si原子占据晶胞的百分比;重点和难点

施主杂质、施主能级、n型半导体；

受主杂质、受主能级、p型半导体；

施主杂质和受主杂质的电离能;

杂质的补偿作用；

浅能级杂质和深能级杂质;;EC;替位式杂质;2.1.2施主杂质、施主能级;Si;;;二、N型半导体：

本征半导体中掺入磷等Ⅴ族元素后，自

由电子浓度大大增加的杂质半导体，也

称为（电子半导体）。;N型半导体中的载流子是什么？;三、施主电离;晶体;施主能级：

将被施主杂质束缚的电子的能量状态，ED;施主杂质是比较少的，杂质原子间的相互作用可以忽略，一种杂质的施主能级是具有相同能量的孤立能级;一、受主杂质：

在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼（或铟），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻半导体原子形成共价键时，产生一个空穴。这个空穴可能吸引束缚电子来填补，使得硼原子成为不能移动的带负电的离子。;Si;硼原子占据了硅原子的位置。

硼原???有三个价电子．它和周围的四个硅原子形成共价键，但缺少一个电子，必须从别处的硅原子中夺取一个价电子，在硅晶体的共价键中产生一个空穴。;空穴;空穴;空穴;杂质来源：a有意掺入b污染

杂质半导体多子和少子的移动都能形成电流。

∴受主能级离价带顶很近

可通过适当掺杂制造形形色色的器件

近似认为多子与杂质浓度相等。

有些杂质的能级没有完全测到，如硅中的金杂质，只测到一个施主能级和—个受主能级，这可能是因为这些受主态或施主态的电离能大于禁带宽度，相应的能级进入导带或价带，所以在禁带中就测不到它们。

NP—+h

ND表施主杂质浓度，NA表受主杂质浓度，n表示导带中电子浓度,p表示价带中空穴浓度。

∴受主能级离价带顶很近

半导体中杂质和缺陷能级

如：快恢复二极管

晶体具有完整的（完美的）晶格结构，

掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自由电子浓度远大于空穴浓度。

这种材料容易被误认高纯半导体，实际上含杂质很多，性能很差，不能用采制造半导体器件.

说明半导体中浅能级杂质和深能级杂质的作用;空穴;P型半导体中空穴是多子，电子是少子。;三、受主电离;晶体;把被受主杂质所束缚的空穴的能量状态称为受主能级EA;Eg;纯净半导体中掺入受主杂质后，受主杂质电离，使价带中的导电空穴增多，增强了半导体的导电能力，把主要依靠空穴导电的半导体称为空穴型或p型半导体。;Ⅲ、Ⅴ族杂质在硅、锗晶体中分别是受主和施主杂质，起作用是由于禁带中引入能级;受主能级比价带顶高ΔEA，施主能级则比导带底低ΔED.;五、杂质半导体的示意表示法;杂质可以处于两种状态，即未电离的中性态或束缚态以及电离后的离化态!;施主杂质电离后向半导体提供（），受主杂质电离后向半导体提供（），本征激发向半导体提供（）

A.空穴B.电子;硅、锗中的Ⅲ、V族杂质的电离能都很小，所以受主能级很接近于价带顶，施主能级很接近于导带底。这些杂质能级称为浅能级，产生浅能级的杂质称为浅能级杂质。;2.1.4浅能级杂质电离能的简单计算;当硅、锗中掺入V族杂质如磷原子时，在施主杂质处于束缚态的情况下，这个磷原子将比周围的硅原子多一个电子电荷的正电中心和一个束缚着的价电子;（1）氢原子基态电离能;（2）用类氢原子模型估算浅能级杂质电离能;锗、硅的相对介电常数εr分别为16，12。

锗ΔΕD=0.05mn*/m0硅ΔED=0