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电力电子技术32

nGTR的静态特性

I

c

•共发射极接法时的典区放大区

型输出特性:截止区和

饱

i

、放大区和饱和区。b3

•在电力电子电路中i

b2

GTR工作在开关状态。

i

•在开关过程中，即在b1

iii

截止区和饱和区之间b1b2b3

过渡时，要经过放大截止区

O

区。U

ce

­共发射极接法时GTR的输出特性

nGTR的开关特性•开通过程

i

bI

b1•延迟时间和上升时

90%I

b1间之和为开通时间

•加快开通过程的办

10%I

b1

0t法:增大基极电流

I•关断过程

b2

•

tt储存时间和下降时

onoff

tttt间之和为关断时间

icdrIsf

cs。

90%I

cs

•加快关断速度的办

10%I法:加负基极电流

cs

0ttttttt。

012345

GTR的开关时间在几微秒以内,

比晶闸管和GTO都短很多。

nGTR的主要参数

前已述及:电流放大倍数、直流电流增益hFE

、集射极间漏电流Iceo、集射极间饱和压降Uces、开

通时间ton和关断时间toff(此外还有):

（1）

最高工作电压

GTR上电压超过规定值时会发生击穿。

击穿电压不仅和晶体管本身特性有关，还与外电路接法

有关。

BUcboBUcexBUcesBUcerBuceo。

实际使用时，最高工作电压要比BUceo低得多。

（2）集电极最大允许电流IcM

通常规定为hFE下降到规定值的1/2～1/3时所对应的

Ic。

实际使用时要留有裕量,只能用到IcM的一半或稍多

一点。

（3）集电极最大耗散功率PcM

最高工作温度下允许的耗散功率。

产品说明书中给PcM时同时给出壳温TC,间接表示了

最高工作温度。

nGTR的的安全工作区

Ø安全工作区（SafeOperatingArea——SOA）

由最高电压UceM、集电极最大电流IcM、最大耗散功

率PcM、二次击穿临界线限定。

I

c

IP

cMSB

SOA

P

­安全cM

工作区

O

UU

ceMce

8.4电力场效应晶体管

n电力MOSFET的结构和工作原理

•单极型