超深亚微米工艺条件下基于模型的光学邻近效应修正方法的研究.pdfVIP

超深亚微米工艺条件下基于模型的光学邻近效应修

正方法的研究

随着微电子工艺技术的不断深入，超深亚微米级别的工艺已经成为

当今的主流方向之一。然而在这种细微的制造工艺中，光学邻近效应

（OPE）的问题已经变得越来越严重，直接影响到工艺的制造精度和稳定

性。因此，基于模型的OPE修正方法已经成为当前超深亚微米工艺领域

的研究热点之一。

在过去的研究中，人们尝试提出不同的方式来解决OPE问题，比如

使用多层掩膜工艺、基于规则的掩膜修正以及基于防反射涂层的掩膜设

计等。然而，这些传统的方法在面对超深亚微米级别的制造难题时难有

较好的效果。因此，基于模型的OPE修正方法应运而生。

基于模型的OPE修正方法可以简单地理解为建立一个加权函数代表

OPE的影响，进而对光刻机进行校准和控制。其中模型参数的确定是整

个方法的关键，因为不同的模型可能会导致不同的校准和控制效果。在

确定模型参数的过程中，要考虑到不同因素的影响，比如基板类型、光

刻机型号、曝光量、掩膜厚度等等。此外，还需要对模型的可靠性和精

度进行严密地评估。

当模型参数被确定之后，基于模型的OPE修正方法就可以开始工作

了。其中，该方法的基本流程为：首先在实验室内对具有不同