模拟电子技术 习题 1半导体器件习题.pdf

注意：习题中有些内容可能超出大纲的要求了，请考生仔细选取适当的练习参

考。

一、判断题

1．半导体二极管最大的特点是单向导电性。（√）

2．晶体管（三极管）是有源器件，工作时需要外加直流电源为其提供合适的偏

置。（√）

3．晶体管中有两个PN结，所以晶体管有PNP和NPN两种管型。(√)

4．晶体管输入特性曲线随温度的升高向右移动。（×）

5．晶体管输出特性划分成三个区，工作在饱和区时，iCβiΒ。(×)

6．稳压管正常使用时一般是正偏的。（×）

7．场效应管是电压控制器件，晶体管是电流控制器件。（√）

8．增强型P沟道的开启电压U0。（×）

GS(th)

r

9．晶体管的基极与发射极之间的动态电阻（三极管等效输入电阻）与静态

be

工作点无关。（×）

10.晶体管和场效应晶体管的微变等效模型均是受控源，晶体管是CCCS，场效

应管是VCSC。（对）

二、单选题

1.关于稳压管下列说法不正确的是（D）。

A．也具有单向导电性

B．稳压管一般工作在击穿状态

C．稳压管也是二极管

D．稳压管不能正偏使用。

2.静态时，测得某NPN晶体管的三个电极的电位分别为：

V7V，V=6.5V，V=6.3V，则晶体管工作在（C）

BCE

A．放大区

B．截止区

C．饱和区

D．可变电阻区

[解析]：晶体管工作在不同区的条件和特点要清楚。本题就是根据不同区的条

UV=−V7V=−6.3V=0.7V，

件进行判断的。本题中NPN管发射结电压BEBE集电结

电压UV=−V=7V−6.5V=0.5V，发射结是正偏的，集电结也是正偏的。所以管子

BCBC

工作在饱和区。选项C是正确的。选项D是场效应管的一个分区。

3.某工作在放大电路中的晶体管静态时的电位分别为：

V0V，V=6.5V，V=-0.3V，则下列判断正确的是（C）。

123

A．晶体管是NPN硅管

B．1是发射极

C．是集电极

2

D．是基极

3

[解析]：晶体管工作在放大区时，发射结正偏，集电结反偏。先从中间电位开

始，中间电位是基极，然后找距离基极最近的电位（不大于1V），它是发射

极，最后剩下的是集电极。NPN管的电位关系是VVV；PNP管的电位关

CBE

VVV

系是EC。硅管BE间的电压约为0.7V左右，锗管一般约为0.2V、0.3V

B

左右。在四个选项中只有C是正确选项。

4.电路如图所示，二极管是理想的，经过分析判断（D）。

A．D导通，U12V

AB

B．D导通，U=−12V

AB

C．D截止，U8V

AB

D．D截止，U=−8V

AB

5.电路如图所示，二极管是理想的，经过分析判断（A）。

A．D1导通，U0V

AB

B．D2导通，U=−12V

AB

C．D1截止，U0V

AB

D．D2截止，U=−6V

AB

6.电