模拟电子技书后习题解答.pdf

目录

第1章半导体器件基础3

第2章基本放大电路及其分析方法12

第3章多级放大电路25

第4章功率放大电路35

第5章放大电路的频响39

第6章放大电路中的反馈44

第7章集成运算放大器及其应用48

第8章信号发生电路56

第9章直流稳压电源60

模拟电子技术基础

习题参考答案

第1章半导体器件基础

1、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果并填入括号内。

(1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。

(√)

(2)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。(×)

(3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。(√)

(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。(×)

(5)增强型MOS管的开启电压总是大于零。(×)

(6)若增强型N沟道MOS管的UGS0，则其输入电阻会明显变小。(×)

2、选择题

（1）在本征半导体中加入少量的三价元素后，可形成（A）

A、P型半导体，其少子为自由电子

B、N型半导体，其多子为自由电子

C、P型半导体，其少子为空穴

D、N型半导体，其多子为空穴

（2）本征半导体中掺入+5价微量元素形成的半导体类型及对应多数载流子是（A）

A、N型，自由电子B、N型，空穴

C、P型，自由电子D、P型，空穴

（3）工作在放大状态的晶体管三个电极的电位分别为12V、12.7V、3V，则该

管的类型和对应的管脚是（C）

A、NPN型，B、E、CB、NPN型，C、B、E

C、PNP型，B、E、CD、PNP型，B、C、E

（4）NPN型晶体管处于放大状态时，各电极电位关系为（A）

A、VVVB、VVV

CBEEBC

C、VVVD、VVV

CEBBEC

3、如果需将PN结处于正向偏置、反向偏置，外接电压的极性分别应该如何确

定?

解：

正向偏置：P区结电源“+”极；

反向偏置：N区结电源“-”极。

4、为了使晶体管工作在放大区，晶体管的两个PN结如何偏置？

解：发射结正偏，集电结反偏。

5、二极管是非线性元件，它的直流电阻和交流电阻有何区别？用万用表欧姆挡

测量的二极管电阻属于哪一种？为什么使用万用表欧姆挡的不同量程测量出的

二极管阻值不相同？

解：

二极管的直流电阻是指二极管两端所加直流电压与流过它的直流电流之比。

二极管的交流电阻是指在Q点附近电压变化量与电流变化量之比，也就是曲线

在Q处的切线斜率的倒数。

交流电阻是动态电阻，不能用万用表测量。用万用表欧姆档测出的正、反向电阻

是二极管的直流电阻。

用欧姆档的不同量程去测量二极管的正向电阻，由于内阻不同，使测量时流过管

子的电流大小不同，也就是工作点的位置不同，故测出的阻值不同。

6、简述场效应晶体管与双极结型晶体管的特点？

解：

(1)场效应管是电压控制型器件，输入电阻高；

(2)场效应管是多子导电，而双极性三极管是两种载流子均参与导电，因而场效

应管受温度、辐射的影响较小；

(3)场效应管的噪声系数很小；

(4)场效应管的源极和漏极可以互换使用，而晶体管一般情况下集电极和发射机

不能互换使用；

(5)场效应管的种类比晶体管种类多,故使用更加灵活；

(6)场效应管集成工艺更简单，功耗更低、工作电源电压范围宽。

7、电路如题图1.1所示，Si(硅)二极管的导通电压UD0.7V，Ge(锗)二极管的

U0.2