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2024-09-19 发布于北京
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《2024年氮化物半导体量子点中的束缚极化子、激子及应变效应》范文.docx

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《氮化物半导体量子点中的束缚极化子、激子及应变效应》篇一

一、引言

氮化物半导体量子点（NitrideSemiconductorQuantumDots,NSQDs）作为一种新型的纳米材料，具有独特的光电性能和潜在的应用价值。其内部的电子结构复杂多变，包括束缚极化子（BoundPolaron）、激子（Exciton）以及应变效应（StrainEffect）等现象均对NSQDs的性能产生重要影响。本文旨在探讨氮化物半导体量子点中的束缚极化子、激子及应变效应的相关内容。

二、束缚极化子

2.1定义与形成

束缚极化子是指在半导体量子点中，由于杂质、缺陷或外部电场的作用，使得电子或空穴被局