半导体材料与工艺之晶体生长原理资料课件.pptVIP

半体材料制概述晶体生原理11

晶体生作一种相程大体分3:(1)固相生：即物没有化，有晶格构生化的相程。譬如，离子注入后成非晶的注入在退火程中再晶的程，具有两种以上同异构体的晶体在适当条件下的晶型程等等。2

(2)液相生:伴随在液-固相程中的晶程，包括从溶液中生晶体(通常是薄)的液相外延程和从熔体中生晶体的正常凝固程和区域熔程。例如。GaAs底上的GaAlAs液相外延和用直拉法生硅晶等。(3)气相生:伴随在气-固相程中的晶程，包括晶体薄膜的气相外延生程和利用升法生熔晶体的程。例如，SiH4生硅薄膜的外延程和碳化硅状晶体的生程等。3

ChapterOutlineo8.1.1晶的条件和一般程o8.1.2晶核的形成(Nucleation)o8.1.3晶体的大(Growth)o8.1.4晶粒大小及其控制物从液到固的程，叫做凝固。凝固主要是指物状的化，并不考固的构。只有物从液具有晶体构的固的程，才叫做晶。广的晶概念，是指物从一种原子排列状渡到另一种排列状的程。它包括液的晶和固金属（晶或非晶）向另一种晶体构的。前者称一次晶，后者称二次晶或重晶。它都属相程。4

Section晶的条件和一般程冷却曲与冷(undercooling)象o分析法通定温度与的关系—冷却曲分析。o在晶程中，由于晶潜的放，充了甚至超了容器的散量，从而在冷却曲上出温度下降慢，或保持不甚至有回升的。由此确定晶开始和晶了的温度和。o金属熔点或凝固点，就是晶的理温度T。开始m晶的温度T，是低于T，称冷象。冷度nmΔT=T-T。冷却速度越大。冷度越大，即晶温度越低。mno冷度有一最小的界冷度，若冷度小于此晶程就不能行。5

Figure(a)Coolingcurveforapuremetalthathasnotbeenwellinoculated.Liquidcoolsasspecificheatisremoved(betweenspointsAandB).Undercoolingisthusnecessary(betweenpointsBandC).Asthenucleationbegins(pointC),latentheatoffusionisreleasedcausinganincreaseinthetemperatureoftheliquid.Thisprocessisknownasrecalescence(pointCtopointD).Metalcontinuestosolidifyataconstanttemperature(Tmelting).AtpointE,solidificationiscomplete.Solidcastingcontinuestocoolfromthepoint.(b)Coolingcurveforawellinoculated,butotherwisepuremetal.Noundercoolingisneeded.Recalescenceisnotobserved.Solidificationbeginsatthemeltingtemperature6

8.1.1.2晶的力学条件o等温等下，系是从自由能高的状向自由能低的状自——最小自由能原理o液和固的体自由能，都随温度的升高而降低。GL随温度的化曲陡，G随温度的化曲。液S和固自由能相等所的温度，即理晶温度T。m液和固的体自由能随温度的化曲7

晶的力学条件o当T=T,G=G，液并无固的自。mLS只有当TT，GG，才有可能使自由能降低，从mSL而自晶。液相和固相的体自由能之差，构成了晶的力。o液相和固相的界面能，构成了晶的阻力。只有依靠体自由能的降低来充界面能的升高，晶程才能行。o液、固相的体自由能差ΔG=G-G。ΔG0就是金属vSLv晶的力学条件。然而，它并不是晶的充分条件，因要考晶的阻力。8

液相生(从熔体中生)于从熔体中生晶体的固-液两相系，其温度T的两相化学之差(每克分子熔体和晶体的吉布斯自由能之差可用温度下两相克分子之差ΔH(T)和两相克分子之差ΔS表示Δμ(T)=ΔH(T)-TΔS（T）当系温度保持在晶体的熔点T，两相于平衡状。m，固-液两相的克分子吉布斯自由能相等，即Δμ(T)=ΔH(T)-TΔS（T）=0mmmm9

液相生(从熔体中生)由此可知克分子晶潜ΔH(T)=TΔS（T）于跟熔点T相差不大的温度T,ΔS