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第37卷第4期红外与激光工程2008年8月

andLaser

V01．37No．4InfraredEngineeringAug．2008

基于OES的等离子体刻蚀过程

王巍1．王玉青1，孙江宏2，兰中文3，龚云贵1

(1．重庆邮电大学光电工程学院，重庆400065；

2．北京信息科技大学机电工程学院，北京100192；

3．电子科技大学微电子与固体电子学院，四川成都610054)

摘要：光学发射光谱(OES)诊断技术是高密度等离子体刻蚀工艺过程的关键技术，OES信号作

为一种实时信号可以用来预测刻蚀过程的进展程度和判断刻蚀性能的好坏。在自行研发的等离子体

刻蚀机平台上，采用美国海洋公司的OES传感器系统，采集多晶硅刻蚀工艺中所产生的OES信号，利

用主元素分析法(PCA)对OES数据进行压缩处理，提高了实时信号的快速处理能力。对实验数据的

分析表明：波长为405mn的OES谱线可以明确显示出等离子体刻蚀进程，是一条表征等离子体刻蚀

过程的状态检测及终点检测控制的特征谱线。在此基础之上，提出了基于PCA法的终点检测算法，用

以判断刻蚀终点。

关键词：等离子体刻蚀；OES；终点检测；PCA

中图分类号：TN365文献标识码：A文章编号：1007—2276(2008)04—0748—04

PlasmabasedonOES

etchingprocess

WANG

Weil，WANGYun—guil

Yu-qin91，SUNJiang-hon92，LANZhong-wen3，GONG

ofElectronicsofPostand400065，China；2．School

(1．CollegeEngineering，ChongqingUniversityTelecommunications，Chongqing

ofElectromechanicalInformationofMicroelectronics

Engineering，BeijingScience＆Technology，Beijing100192，China；3．College

andSolidStateofElectronicScienceandof610054，China)

Electronics，UniversityTechnologyChina，Chengdu

emissionisafor

spectroscopy(OES)diagnosticskeytechniquehighdensity

Abstract：Optical

canbeusedasareal—timesensortotheandthe

plasmaetching．OESpredictetchingprogressqualify

inancircuitline．WiththeICP

etchingperformanceintegratedmanufacturinghighdensityplasmaetching

re