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《2024年 应变GaN-AlGaN量子阱中受屏蔽激子的压力效应》范文.docxVIP

《2024年 应变GaN-AlGaN量子阱中受屏蔽激子的压力效应》范文.docx

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    《应变GaN-AlGaN量子阱中受屏蔽激子的压力效应》篇一

    应变GaN-AlGaN量子阱中受屏蔽激子的压力效应一、引言

    近年来，GaN/AlGaN量子阱因其独特的物理性质和潜在的应用价值，在半导体材料领域引起了广泛的关注。其中，受屏蔽激子作为量子阱中的一种重要物理现象，其特性和行为规律对半导体器件的电学和光学性能有着显著影响。而压力作为影响材料性能的一个重要因素，其在改变GaN/AlGaN量子阱中受屏蔽激子行为方面具有不可忽视的作用。本文旨在探讨应变GaN/AlGaN量子阱中受屏蔽激子在压力作用下的变化规律及其物理机制。

    二、GaN/AlGaN量子阱的基本性质

    GaN/AlGaN量子阱是一种由

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