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铁磁/反铁磁双层膜中的交换偏置场与冷却磁场的开题报告

题目:铁磁/反铁磁双层膜中的交换偏置场与冷却磁场

引言：

随着计算机技术的不断发展，磁性存储技术已经成为了一种重要的存储方式。其

中，铁磁/反铁磁双层膜的交换偏置场和冷却磁场对磁性存储器的性能具有重要的影响。

因此，本文研究铁磁/反铁磁双层膜中的交换偏置场和冷却磁场的作用。

研究目的：

本文的研究目的主要有以下两点：

1.研究铁磁/反铁磁双层膜中交换偏置场的产生原因及其对磁性存储器性能的影

响。

2.研究冷却磁场对铁磁/反铁磁双层膜的影响以及其与交换偏置场的相互作用。

研究内容：

1.铁磁/反铁磁双层膜中的交换偏置场

铁磁/反铁磁双层膜中的交换偏置场是指反铁磁层中的自旋和铁磁层中的自旋之

间的相互作用。交换偏置场的大小和方向决定了磁性存储器中的位错形成的位置以及

磁留存区域的大小。因此，研究交换偏置场的产生原因及其大小对磁性存储器技术的

发展具有重要的意义。

2.铁磁/反铁磁双层膜中的冷却磁场

铁磁/反铁磁双层膜中的冷却磁场是指在退火或冷却过程中施加的外部磁场。冷

却磁场对铁磁/反铁磁双层膜的磁留存性能以及位错形成位置有重要的影响。因此，研

究冷却磁场的大小和方向对磁性存储器技术的发展具有重要的意义。

研究方法：

本文将采用计算机模拟方法来研究铁磁/反铁磁双层膜中的交换偏置场和冷却磁

场的作用。在模拟过程中，先对铁磁/反铁磁双层膜中的自旋构型进行计算，然后通过

计算得到交换偏置场的大小和方向以及冷却磁场的大小和方向。最后，分析交换偏置

场和冷却磁场对铁磁/反铁磁双层膜的磁性留存性能以及位错形成位置的影响。

预期结果：

通过本文的研究，可以得到以下几点预期结果：

1.分析交换偏置场的大小和方向对磁性存储器性能的影响。

2.分析冷却磁场的大小和方向对铁磁/反铁磁双层膜的磁性留存性能以及位错形

成位置的影响。

3.分析冷却磁场和交换偏置场的相互作用对磁性存储器性能的影响。

结论：

本文将对铁磁/反铁磁双层膜中的交换偏置场和冷却磁场的作用进行了研究，分

析了它们对磁性存储技术的影响。这对于磁性存储器性能的优化以及未来磁性存储技

术的发展具有重要的意义。