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半导体器件的表面修饰技术考核试卷

考生姓名：__________答题日期：__________得分：__________判卷人：__________

一、单项选择题（本题共20小题，每小题1分，共20分，在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的）

1.以下哪种技术常用于半导体器件表面修饰？()

A.化学气相沉积

B.纳米压印技术

C.光刻技术

D.电子束焊接

2.表面修饰技术的主要目的是什么？()

A.提高半导体器件的导电性

B.减少半导体器件的表面缺陷

C.增强半导体器件的机械强度

D.降低半导体器件的热导率

3.下列哪一项不是化学气相沉积（CVD）的特点？()

A.成本低

B.成膜质量高

C.可以低温下进行

D.设备复杂

4.硅片表面修饰过程中，常用来去除表面氧化层的方法是？()

A.碱性腐蚀

B.酸性腐蚀

C.机械抛光

D.热氧化

5.以下哪种材料常用作半导体器件表面的钝化层？()

A.硅

B.硅氧化物

C.硅化物

D.碳化物

6.下列哪种方法不适用于半导体器件表面的清洁处理？()

A.超声波清洗

B.热清洗

C.化学腐蚀

D.氩气等离子体处理

7.以下哪种技术不属于表面修饰技术？()

A.化学气相沉积

B.物理气相沉积

C.光刻技术

D.电子束焊接

8.表面修饰技术中，提高半导体器件表面疏水性的常用方法是什么？()

A.氧化硅层

B.硅烷偶联剂

C.金刚石-like碳膜

D.光刻胶层

9.以下哪种方法常用于检测半导体器件表面修饰层的质量？()

A.扫描电子显微镜（SEM）

B.透射电子显微镜（TEM）

C.原子力显微镜（AFM）

D.以上都是

10.表面修饰过程中，以下哪种现象会导致表面缺陷？()

A.温度过低

B.温度过高

C.气体流量过大

D.真空度不够

11.以下哪种技术属于物理气相沉积（PVD）？()

A.磁控溅射

B.化学气相沉积

C.激光烧蚀

D.电镀

12.表面修饰技术中，哪种方法可以提高半导体器件的导电性？()

A.氧化硅层

B.金刚石-like碳膜

C.金属纳米颗粒

D.硅烷偶联剂

13.在半导体器件表面修饰过程中，以下哪种因素对成膜质量影响较小？()

A.温度

B.压力

C.气体流量

D.湿度

14.以下哪种材料适合作为半导体器件表面的抗反射层？()

A.硅

B.硅氧化物

C.二氧化钛

D.金

15.以下哪种技术不属于表面修饰技术中的纳米压印技术？()

A.热压印

B.光压印

C.电子束压印

D.软压印

16.以下哪种方法可以减少半导体器件表面的水分子吸附？()

A.氧化硅层

B.金刚石-like碳膜

C.二氧化钛层

D.硅烷偶联剂

17.以下哪种材料常用于半导体器件表面修饰层的金属连接？()

A.铝

B.铜铝合金

C.钛

D.铅

18.表面修饰技术中，哪种方法可以用于制备纳米线？()

A.纳米压印技术

B.电子束光刻

C.化学气相沉积

D.物理气相沉积

19.以下哪种技术不适合用于半导体器件表面修饰？()

A.化学气相沉积

B.物理气相沉积

C.光刻技术

D.湿法腐蚀

20.以下哪种因素会影响半导体器件表面修饰层的附着力？()

A.修饰层的厚度

B.修饰层的材料

C.基底材料的粗糙度

D.所有上述因素

二、多选题（本题共20小题，每小题1.5分，共30分，在每小题给出的四个选项中，至少有一项是符合题目要求的）

1.以下哪些技术属于半导体器件表面修饰技术？()

A.化学气相沉积

B.光刻技术

C.磁控溅射

D.湿法腐蚀

2.表面修饰技术可以用于以下哪些目的？()

A.提高半导体器件的导电性

B.减少表面缺陷

C.改善机械强度

D.调整光学性质

3.化学气相沉积（CVD）过程中，影响成膜质量的因素有哪些？()

A.温度

B.压力

C.气体流量

D.反应时间

4.以下哪些方法可以用于半导体器件表面的清洁处理？()

A.超声波清洗

B.热清洗

C.氩气等离子体处理

D.光刻胶涂抹

5.表面修饰技术中，以下哪些材料可以用作钝化层？()

A.硅氧化物

B.硅化物

C.碳化物

D.金属

6.以下哪些技术属于物理气相沉积（PVD）？()

A.磁控溅射

B.电子束蒸发

C.激光烧蚀

D.电镀

7.以下哪些因素会影响半导体器件表面修饰层的附着力？()

A.修饰层的厚度

B.基底材料的粗糙度

C.修饰层的材料

D.环境温度

8.表