模拟电子技术基础 课件 第1章 常用半导体器件.ppt

N沟道耗尽型MOS管耗尽型MOS管在uGS＞0、uGS＜0、uGS＝0时均可导通，且与结型场效应管不同，由于SiO2绝缘层的存在，在uGS＞0时仍保持g-s间电阻非常大的特点。小到一定值才夹断uGS=0时就存在导电沟道预埋了N型导电沟道SiO2绝缘层中掺有正离子N沟道MOS管的特性1)增强型MOS管2)耗尽型MOS管开启电压夹断电压N型衬底P+P+GSD符号：结构P沟道增强型MOS管SiO2绝缘层加电压才形成P型导电沟道增强型场效应管只有当UGS?UT时才形成导电沟道。P沟道增强型管子只要调换电源的极性，电流的方向也相反。P沟道耗尽型MOS管符号：GSD予埋了P型导电沟道SiO2绝缘层中掺有负离子耗尽型GSDGSD增强型N沟道P沟道GSDGSDN沟道P沟道G、S之间加一定电压才形成导电沟道在制造时就具有原始导电沟道注意：符号中箭头表示导电沟道的类型，其方向都是P区指向N区。总结：场效应管的分类

工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性uGS=0可工作在恒流区的场效应管有哪几种？uGS＞0才工作在恒流区的场效应管有哪几种？uGS＜0才工作在恒流区的场效应管有哪几种？三、场效应管的主要参数1、直流参数（1）夹断电压UP 当uDS为一固定值，使iD等于规定的微小电流时，栅源之间所加的电压称为夹断电压，此参数适用于结型和耗尽型场效应管。（2）开启电压UT 当uDS为一固定值时，使iD大于零所需的最小|uDS|之称为开启电压UT。此参数适用于增强型MOS场效应管。直流参数（3）饱和电流IDSS 在uGS=0的情况下，当uDS≥|UP|时的漏极电流称为饱和电流。对于结型场效应管，IDSS也是管子所能输出的最大电流。（4）直流输入电阻RGS 是指场效应管在直流工作状态下，其栅源电压与栅极电流之比。结型场效应管的RGS一般大于107Ω；MOS场效应管的RGS一般大于1010Ω。2、交流参数（1）低频跨导gm 在uDS等于常数时，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压的微变量之比称为跨导，即 跨导表示栅源电压对漏极电流的控制能力。gm一般约为1~5mA/V。不同栅压下的跨导值有如下关系 式中，gm0为uGS=0时的跨导，即交流参数（2）输出电阻rd 输出电阻说明了uDS对iD的影响，是输出特性曲线某点上切线斜率的倒数。在饱和区，iD随uDS变化很小，因此rd的数值很大，一般在几千欧到几百千欧之间。 总结：场效应管的特点(1)场效应管是一种电压控制器件,即通过UGS来控制ID。(2)场效应管输入端几乎没有电流,所以其直流输入电阻和交流输入电阻都非常高。(3)由于场效应管是利用多数载流子导电的,因此,与双极性三极管相比,具有噪声小、受幅射的影响小、热稳定性较好而且存在零温度系数工作点等特性。(4)由于场效应管的结构对称,有时漏极和源极可以互换使用,而各项指标基本上不受影响,因此应用时比较方便、灵活。(5)场效应管的制造工艺简单,有利于大规模集成。(6)由于MOS场效应管的输入电阻可高达1015Ω,因此,由外界静电感应所产生的电荷不易泄漏,而栅极上的SiO2绝缘层又很薄,这将在栅极上产生很高的电场强度,以致引起绝缘层击穿而损坏管子。(7)场效应管的跨导较小,当组成放大电路时,在相同的负载电阻下,电压放大倍数比双极型三极管低。场效应管与晶体管的比较电流控制电压控制控制方式电子和空穴两种载流子同时参与导电载流子电子或空穴中一种载流子参与导电类型NPN和PNPN沟道和P沟道放大参数rce很高rds很高输出电阻输入电阻较低较高双极型三极管单极型场效应管热稳定性差好制造工艺较复杂简单，成本低对应电极