二极管开关的通断是受两端电压极性控制。概要课件.pptVIP

二极管开关的通断是受两端电压极性控制。三极管开关的通断是受基极b控制。CCE1、三极管的三种工作区域BB饱和区E放大区截止区

饱和区——i受v显著控制的区域，该区域内v的CCECE数值较小，一般v＜0.7V(硅管)。此时CE发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。截止区——i接近零的区域，相当i=0的曲线的下方。CB此时，发射结反偏，集电结反偏。饱和区放大区——i平行于v轴的区域，CCE曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏，电压大于0.7V左右(硅管)。放大区截止区

饱和区三极管工作在放大区。三极管放大条件：放大区截止区放大特点：三极管有放大能力，i＝βibc基极电流I对集电极电流I有很强的控制作用,I=βI。BCCB从特性曲线上可以看出，在相同的V条件下，I有很小的变CEB化量ΔI，I就有很大的变化量ΔI。BCC

饱和区三极管工作在饱和区。饱和区V比较小，也就CE是I受V显著控制区。即将输C出曲线直线上升和弯曲部分划CE放大区截止区为饱和区。三极管饱和条件：ib≥IBS基极电位高于发射级、集电极电位。

三极管饱和特点：饱和区当V减少到一定程度后，CE集电结收集载流子的能力减弱，造成发射结“发射有余，集电结放大区收集不足”，集电极电流I不再C服从I=βI的规律。截止区CB三极管饱和时的等效电路：bcbc硅管0.7V锗管0.3V硅管0.3V锗管0.1V++VVCES-BES-ee不考虑管压降时的等效电路等效于开关闭合

饱和区三极管工作在截止区，IB=0曲线以下。放大区三极管截止条件：发射结、集电结均反偏。截止区V≤0V0BEBCbc三极管相当于开路等效于开关断开三极管截止等效电路：e所以可以利用三极管饱和、截止状态作开关。

三极管PN结四种偏置方式组合发射结(be结)集电结(bc结)工作状态正偏正偏反偏反偏反偏正偏反偏正偏放大状态饱和状态截止状态倒置状态

V=6VCC当V0时：iicRC2KΩ三极管截止，工作在特性曲线A点。RBvo当i＝60μA时bviβ=50ii=βi=50X60=3mAbCb+3V-1VT临界饱和根据V和R值，CC在输出特性曲线上画C当i60μA时b一条负载线。iC几乎不变。三极管进入饱和区。饱和时集电极电流：临界饱和时基极电流：

首先求出基极电流然后求出临界饱和时基极电流：三极管工作在饱和状态，大的越多，饱和的越深。三极管工作在放大状态三极管工作在截止状态

理想情况下：（饱和、截止动作瞬时完成）V=－V时：T截止VCCicRCib1voRBviV=＋V时：T饱和iib2b三极管开关和二极管开关一样，都存在开关惰性。三极管在作开关运用时，三极管饱和及截止两种状态不是瞬时完成。因为三极管内部存在着电荷建立和消散过程。

VCCicRC实际情况下：vRoBV=-V时：T截止i≈0i≈0viib1bcib输入由－V上跳到＋V,T由止→放大→饱和。b2b1输入由＋V下跳到-V,由饱和→放大→止。b2需要经历四个时间：b1延迟时间:i由0上升到0.1iccmax上升时间:i由0.1i上升到0.9iccmaxcmaxcmax存储时间:i由I下降到0.9iccmax下降时间:i由0.9i下降到0.1iccmaxc由截止→导通需要的时间：t=t+tmaxTONT由导通→截止需要的时间：t=t+tdrfOffs

用基区电荷分布图说明电子浓度当输入三极管由截止进入饱和过程：发射结由：反偏→正偏所需时间td发射结正偏后：临饱正向偏压基极驱动电流放大正偏由小到大变化发射区扩散到基区电子数集电极收集的电子数当基区的电子浓度增加到4时：集电极电流达到临界饱和：ICS基区中电子积累所需时间：tr

当i继续增加：b电子浓度深饱IB≥IBS时，发射结发射有余，集电极收集不足。过剩电子在基区积累，如4→5。这段时间就是存储时间ts分析输入信号由：临饱希望基极驱动电流i很大，加速三极管由截止向饱和转变，缩短上升时间tr，减少延迟时间，提高工作速度。b1放大正偏虽然i增加带来t、tr减小。b1d同时也会使ts增加。要求驱动电流不是常数，而是前大后小，前大加速建立，后小不过分饱和。

当输入三极管由饱和进入截止过程：电子浓度深饱由于基区电子不能立即消失，T仍然饱和，其转变过程是：随正偏压的减小，基区存储的电子逐渐减小。5→4区间中电子积累从深饱和→浅饱和→临界饱和→放大→截止。临饱分析输入信号由：放大正偏希望基极驱散电流i很大,加速三极b2管由饱和向截止状态转变。同样i增加带