半导体激光器材料研究进展-第八组.pptVIP

3.同质结半导体激光器3.同质结半导体激光器4.异质结半导体激光器（1）结构特点若pn结一侧为GaAs材料。另一侧为GaAlAs材料称为异质结。若半导体激光器只有一个异质结,称为单异质结。4.异质结半导体激光器若半导体激光器有两个异质结,称为双异质结（DH）激光器4.异质结半导体激光器（2）平衡时异质结的能带结构4.异质结半导体激光器（3）GaAs的折射率变化结论:掺杂浓度越大，折射率越低。①掺杂浓度对GaAs材料折射率的影响4.异质结半导体激光器5.量子阱激光器异质结厚度仅为1～10nm的异质结激光器称为量子阱激光器。有源层尺寸极小→有源层与两边相邻层的能带不连续→导代和价带的突变→势能阱→量子阱效应4.激光产生原理半导体激光器的工作原理简单概述是，通过一定的激励方式，在半导体物质的能带（导带与价带）之间，或者半导体物质的能带与杂质（受主或施主）能级之间，实现非平衡载流子的粒子数反转，当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时，便产生受激发射作用。粒子数反转（光放大的必要条件）:仅当激发态的电子数大于基态中的电子数时，受激辐射超过吸收，要利用“泵浦（激励）”方法。电子与空穴复合，即电子由导带进入价带，多出的能量以光子的形式释放出来。4.激光产生原理普朗克定律:基态到激发态的跃迁—吸收一个光子，激发态到基态的跃迁—发射一个光子，光子的能量为h?=E2-E1。激光发射跃迁过程:吸收激发、自发辐射和受激辐射。吸收激发:E1基态的电子吸收光子能量，激发到高能态E2；自发发射:E2能态的电子处于不稳定状态，自发返回基态E1，自发发射一个光子（位相随机）。受激发射:E2能态的电子处于不稳定状态，向下进入亚稳态，外来光子会激励电子向下跃迁到基态E1，受激发射一个光子（位相和频率相同）。4.激光产生原理4.激光产生原理半导体激光器是一种相干辐射光源，要使它能产生激光，必须具备三个基本条件:（1）形成分布反转:建立起激射媒质(有源区)内载流子的反转分布，在半导体中代表电子能量的是由一系列接近于连续的能级所组成的能带，因此在半导体中要实现粒子数反转，必须在两个能带区域之间，处在高能态导带底的电子数比处在低能态价带顶的空穴数大很多，这靠给同质结或异质结加正向偏压，向有源层内注人必要的载流子来实现。将电子从能量较低的价带激发到能量较高的导带中去。当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时，便产生受激发射作用。4.激光产生原理有源区—在p-n结附近,导带中有价电子,价带中有空穴,这部分区域称为有源区。在此区域可以实现粒子数反转和光放大。(2)要实际获得相干受激辐射,必须使受激辐射在光学谐振腔内得到多次反馈而形成激光振荡以实现光量子放大,激光器的谐振腔是由半导体晶体的自然解理面作为反射镜形成的,通常在不出光的那一端镀上高反多层介质膜,而出光面镀上减反膜。对F—p腔(法布里一珀罗腔)半导体激光器可以很方便地利用晶体的与P—n结平面相垂直的自然解理面一[110]面构成F—P腔。4.激光产生原理4.激光产生原理4.激光产生原理(3)为了形成稳定振荡,激光媒质必须能提供足够大的增益,以弥补谐振腔引起的光损耗及从腔面的激光输出等引起的损耗,不断增加腔内的光场。这就必须要有足够强的电流注入,即有足够的粒子数反转,粒子数反转程度越高,得到的增益就越大,即要求必须满足一定的电流阀值条件。当激光器达到阀值时,具有特定波长的光就能在腔内谐振并被放大,最后形成激光而连续地输出。增益:在注入电流的作用下，激活区受激辐射不断增强。损耗:受激辐射在谐振腔中来回反射时的能量损耗。包括载流子吸收、缺陷散射及端面透射损耗等。阈值电流:增益等于损耗时的注入电流。半导体激光器材料的研究进展一、半导体激光器的发展历史二、半导体激光器的工作原理三、半导体激光器的制作工艺四、半导体激光器的应用现状五、半导体激光器材料的发展前景三、半导体激光器的制作工艺1、半导体激光器的工作特性2、半导体激光器制备流程3、同质结半导体激光器4、异质结半导体激光器5.量子阱激光器1.半导体激光器的工作特性（1）阈值电流当注入p-n结的电流较低时，只有自发辐射产生，随电流值的增大增益也增大，达阈值电流时，p-n结产生激光。影响阈值的几个因素:①晶体的掺杂浓度越大，阈值越小。②谐振腔的损耗小，如增大反射率，阈值就低。③与半导体材料结型有关，异质结阈值电流比同质结低得多。目前，室温下同质结的阈值电流大于30000A/cm2；单异质结约为8000A/