第1章-习题解答.ppt

第一章第一章常用半导体器件2010年9月N型半导体：在本征半导体中掺入五价元素(如磷)构成的杂质半导体。P型半导体：在本征半导体中掺入三价元素(如硼)构成的杂质半导体。三极管：由两个PN结背靠背组成结构特点符号第一章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（）（2）因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电.（）（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（）（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。（）（6）若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（）二、选择正确答案填入空内。（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将。A.变窄B.基本不变C.变宽（2）设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是。A.ISeUB.C.（3）稳压管的稳压区是其工作在。A.正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为.A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏（5）UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。A.结型管B.增强型MOS管C.耗尽型MOS管三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD＝0.7V。图T1.3四、已知稳压管的稳压值UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。求图T1.4所示电路中UO1和UO2各为多少伏。图T1.4五、电路如图T1.5所示，VCC＝15V，β＝100，UBE＝0.7V试问：1）Rb＝50kΩ时，uO＝？（2）若T临界饱和，则Rb≈？解：（1）Rb＝50kΩ时，基极电流、集电极电流和管压降分别为：例：某晶体管的输出特性曲线如图所示，其集电极最大耗散功率PCM＝200mW，试画出它的过损耗区。Uce(V)10203040iC(mA)20106.675习题1.1选择合适答案填入空内。（1）在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。A.五价B.四价C.三价（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。A.增大B.不变C.减小（3）工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为。A.83B.91C.100（4）当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将。A.增大B.不变C.减小例：能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.5V时，管子会因电流过大而烧坏。1.3电路如图P1.3所示，已知ui＝5sinωt(V)，二极管导通电压UD＝0.7V。试画出ui与uO的波形，并标出幅值。Ui3.7V时，D1导通，D2截止，U0=3V+0.7V=3.7V1.4电路如图P1.4所示，二极管导通电压UD＝0.7V，常温下UT≈26mV，电容C对交流信号可视为短路；ui为正弦波，有效值为10mV。

试问二极管中流过的交流电流有效值为多少？解：动态电流有效值Id＝Ui/rD其动态电阻rD≈UT/ID1.5现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为6V和8V，正向导通电压