HFD150N03深圳恒锐丰科技+N+30V+MOS+TO-252.pdf

1、本文档共7页，可阅读全部内容。
2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。

HFD150N03

N-Ch30VFastSwitchingMOSFETS

Description

TheHFD150N03isthehighcelldensitytrenchedN-chMOSFETs,whichprovideexcellent

RDSONandgatechargeformostofthesynchronousbuckconverterapplications.

TheHFD150N03meettheRoHSandGreenProductrequirement,100%EASguaranteedwith

fullfunctionreliabilityapproved.

Features

100%EASGuaranteedExcellentAdv/ateffectdecline

GreenDeviceAvailableAdvancedhighcelldensityTrenchtechnology

SuperLowGateCharge

ProductSummary

BVDSSRDSONID

30V1.5mΩ150A

TO-252PinConfiguration

第页共页深圳市黑锋科技有限公司

HFD150N03

N-Ch30VFastSwitchingMOSFETS

ElectricalCharacteristics

TJ25°C,unlessotherwisenoted

SymbolParameterTestConditionMin.Typ.Max.Units

Offcharacteristics

BVDSSDraintosourcebreakdownvoltageVGS0V,ID250uA30V

ΔBVDSSBreakdownvoltagetemperature

I250uA,referencedto25℃0.02V/℃

/ΔTJcoefficientD

VDS30V,VGS0V1uA

IDSSDraintosourceleakagecurrent

V24V,T125℃

专注MOS

咨询Ta 进入空间

更多 >