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HFM80N03
N-Channel30V(D-S)MOSFET
Features
NJR-TrenchPowerMOSFET100%RgandUISTested
Application
NotebookPCCoreVRM/POL
ProductSummary
VDS(V)(mΩ)I(A)a,eQ(Typ.)
RDS(on)Dg
4.8(TYP)VGS10V80
3031.6nC
7.8(TYP)VGS4.5V50
PRPAK5×6PinConfiguration
16
第页共页深圳市黑锋科技有限公司
HFM80N03
N-Channel30V(D-S)MOSFET
ElectricalCharacteristics
TJ25°C,unlessotherwisenoted
ParameterSymbolTestConditionsMin.Typ.Max.Unit
Static
VGS0V
Drain-SourceBreakdownVoltageVDS30V
ID250μA
VDSTemperatureCoefficientΔVDS/TJ35
ΔVGS(th)ID250μAmV/°C
VGS(th)TemperatureCoefficient-5.5
/TJ
VDSVGS
Gate-SourceThresholdVoltageVGS(th)
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